专利名称：：铌酸锂晶体(ln)室温腐蚀剂及其用途的制作方法
技术领域：
：本发明涉及晶体加工领域特别是涉及一种铌酸锂单晶体的室温腐蚀剂及其用途。腐蚀对于铌酸锂晶体来说至关重要，它不仅能区分晶体的极性(正、负面)，而且能判断晶体的极化程度，还能显示表面加工的质量。通常用1份HF和2份HNO3混合液在沸点(近110℃)腐蚀经抛光的铌酸锂晶片，(1965年AppliedPhysicsLetters.P.229)通过观察正负畴图形来检验极化程度。但是该腐蚀液在室温的腐蚀速率相当缓慢，经24小时腐蚀，LN片子上只能观察到表面加工的划痕，要加快腐蚀速度，必须提高温度。加热易导致晶体开裂，对于整只晶体的腐蚀，特别是对现在表面波器件所需的直径2″或3″的大晶体来说，要加热腐蚀几乎是不可能的。本发明的目的在于提供一种在室温下能快速腐蚀铌酸锂晶体的腐蚀剂，不仅能对抛光面，甚至对细磨面也能根据腐蚀图形用肉眼即能区分正负畴，以判断晶体的极化情况。对于极化不完善的晶体可及时采取补救措施;在生产过程中可以避免加工成晶片甚至制成器件后才发现性能不良而造成损失。铌酸锂晶体室温腐蚀剂采用40%浓度HF和98%浓度H2SO4配制。其配比视所要求的腐蚀速度而定。以体积比配制混合液时，HF的用量范围为35-80%。H2SO4的用量范围为65-20%。配制好的腐蚀液需待温度冷却到室温后才能使用。然后，将抛光或细磨好的晶体放入该腐蚀液中，放置一段时间后取出，用水冲洗干净，以滤纸吸干水份后，即可用肉眼观察腐蚀情况。本发明提供一种在室温下能快速腐蚀铌酸锂晶体的腐蚀剂。对铌酸锂晶体正、负面都能腐蚀，不但在抛光晶体上而且在细磨晶体上也同样能通过腐蚀显示正负畴图形。腐蚀剂使用方便，且可反复使用。用本发明配制的40%浓度HF∶98%浓度H2SO4体积比为65∶35的腐蚀液在室温(25℃)对铌酸锂晶体负Z面的腐蚀速率为1.39μm/hr.正Z面的腐蚀速率为0.45μm/hr.同上条件，抛光晶体在4小时左右，细磨晶体在6小时左右，即能显示清晰的正负畴图形，用肉眼即可判断极化完善程度。而用通常的1份HF，2份NHO3配制的混合液在室温经24小时腐蚀，在LN抛光晶片上只观察到表面加工的划痕，无法区分正负(表1)。表1本发明与现有技术的对比</tables>实施例1.把LN晶体经精确定向后加工成X∶Y∶Z分别为20∶12∶10mm的晶块，两Z面抛光，其余面用M14磨料细磨。然后把样品放入不同体积比的(见表2)腐蚀液中分别对正、负Z面进行腐蚀。调整到使腐蚀液刚好接触样品的一个面，在室温(25℃)经1小时后，用水冲洗样品并干燥。然后用常用设备与技术，测量样品的表面积和腐蚀前后的重量变化，根据这些数据及LN的密度，(D4.64克/厘米3)求出样品的腐蚀速率。不同配比腐蚀液及样品正、负Z面的实验数据列于表2。表2不同浓度腐蚀剂对CN晶体的腐蚀速率</tables>2.Z轴生长的LN晶体，两端面用M14磨料细磨后，放入65∶35体积比为40%浓度HF∶98%浓度H2SO4的腐蚀液中，在室温(25℃)经6小时后取出，用水冲洗，并用滤纸吸干水份后，负畴区变得光亮，畴区基本维持原状，从而可区分正负畴及确定晶体极化程度。权利要求1.一种铌酸锂晶体腐蚀剂，包括HF，H2SO4混合液的配制，其特征在于40%浓度HF的体积为35-80%，98%浓度H2SO4的体积为65-20%。2.一种根据权利要求1所述的铌酸锂晶体腐蚀剂的用途，其特征在于可对晶体正Z面及负Z面进行腐蚀;可对抛光、细磨晶体进行腐蚀。全文摘要一种在室温下能快速腐蚀铌酸锂晶体的腐蚀剂，采用40％浓度HF和98％H本发明特点是在室温(25℃)时，可以快速，简便地对整只LN晶体进行腐蚀，区分正负畴及判断晶体的极化情况。不但对抛光晶体，而且对细磨晶体也能通过腐蚀显示清晰的正负畴图形，可节约抛光大晶体所需的时间和磨料费用。且对极化不完善晶体可采取补救措施。腐蚀液配制方便，且可反复使用。文档编号C30B33/10GK1061202SQ90102978公开日1992年5月20日申请日期1990年11月5日优先权日1990年11月5日发明者张雁行,华王祥,谭浩然申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所