二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及非线性光学材料和器件，特别是涉及一种Cu2MoS4二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件，可用于光纤激光器的锁模、调Q、激光光束整形等。
【背景技术】
[0002]脉冲激光器在激光制造加工业、科学研究等领域中正起着越来越重要的作用。随着调Q和锁模技术以及激光增益介质的不断发展，已可从许多不同波长的激光系统中获得脉冲输出。产生脉冲主要有主动和被动两种方式，主动调制需要在激光腔中外加调制器(声光/电光调制器)实现，既增加了系统成本，也降低了系统便携性；而被动调制无需任何外部器件，因而逐渐成为目前的主流选择和发展方向。目前大部分商用化脉冲激光器都是采用被动方式实现，其中最常用的两种被动调制方式是调Q和锁模技术，其关键是在腔内加入饱和吸收体，起到幅度自调制的作用，即当输入光强度越大，饱和吸收体的吸收越小，有利于抑制连续波实现脉冲输出。
[0003]目前常见的饱和吸收体包括染料、半导体饱和吸收镜以及最近新兴的碳纳米管和石墨烯等。染料饱和吸收体由于自身恢复时间在纳秒量级，只能产生纳秒量级的脉冲，并且其稳定性也是一较大劣势；半导体饱和吸收镜经过数十年的发展，技术相对成熟，输出稳定，但是其光损伤阈值低、应用波段窄、恢复时间长(约几纳秒)，结构复杂，制备条件要求高，并且只能在特定的线形拓扑腔中应用，大大限制了其进一步发展。单壁碳纳米管在近红外波段有优良的饱和吸收响应，但其本身是一种各向异性的材料，制备时生长方向、直径、长度、手征性等难以选择和控制，而单壁碳纳米管的光吸收特性与碳管直径、手征性等因素相关，因此将给锁模的精确控制带来难题；并且单壁碳纳米管容易缠结成束，带来较高的线性损耗。石墨烯等二维材料近年来作为饱和吸收体受到研究者的追捧，其基本思路是单原子厚的石墨烯膜分散在透明聚合物中或者直接转移到光纤头断面作为饱和吸收体。但是石墨烯饱和吸收体的特性依赖于单原子厚石墨烯独特的狄拉克能带结构，随着原子层数的增加，载流子迀移率急剧下降、能带结构和光吸收特性等性质变化较大，使多原子层石墨烯应用受到限制。目前，单原子层石墨烯的廉价、高效制备目前仍然是亟待解决的难题。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是提供了一种Cu2MoS4二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件，该器件具有结构简单、成本低的特点，并且找到了一种全新的具有优异饱和吸收特性的材料体系，为开发新型饱和吸收体提供了更大的空间。
[0005]本发明的技术方案是:
[0006]—、一种Cu2MoS4:维晶体的用途:所述Cu 2MoS4二维晶体用于制备饱和吸收体的用途。
[0007]二、一种基于Cu2MoS4二维晶体的饱和吸收体器件:包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，所述作为饱和吸收体的二维晶体是Cu2MoS4:维层状晶体。
[0008]所述的基体为有机溶剂或有机聚合物。
[0009]所述的有机聚合物为聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸甲酯。
[0010]所述的有机溶剂为氯仿，氯仿内含0.3-1%乙醇作为稳定剂。
[0011]三、一种基于Cu2MoS4二维晶体的饱和吸收体器件的用途:
[0012]所述饱和吸收体器件应用于脉冲激光器等领域。
[0013]本发明的有益效果是:
[0014](I)本发明中所用的Cu2MoS4二维晶体可大规模、廉价地使用溶剂热法制备，相比与目前常用复杂的CVD方法制备石墨烯有效降低了成本。
[0015](2)本发明找到了一种全新的具有优异饱和吸收特性的材料体系，为开发新型饱和吸收体提供了更大的空间。
【附图说明】
[0016]图1为实施例1对应的基于Cu2MoS4:维晶体的饱和吸收体Z扫描曲线。
[0017]图2为实施例2对应的基于Cu2MoS4:维晶体的饱和吸收体Z扫描曲线。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
[0019]本发明基于Cu2MoS4二维晶体的饱和吸收体器件，包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，饱和吸收体的二维晶体是Cu2MoS4二维层状晶体，基体可采用有机溶剂或有机聚合物。
[0020]本发明的具体实施例如下:
[0021]实施例1
[0022]本实施例说明如何使用氯仿作为分散剂，制备Cu2MoS4二维晶体有机分散液作为饱和吸收体的方法。
[0023](I)取0.171g CuCl2.2H20和3.333g PVP溶于10mL去离子水中，搅拌，相继滴入1mL浓度为2mol/L的NaOH溶液和1mL浓度为0.6mol/L的抗坏血酸钠溶液，I小时后得到浑浊的黄色液体，6500rpm离心5min，乙醇和去离子水清洗3次，于60°C真空干燥5小时得到Cu2O粉末。
[0024](2)取30mg Na2MoO4.2H20和60mg硫代乙酰胺溶于20mL乙二醇中，加入20mg⑴中得到的Cu2O粉末，并水浴超声5min后移入50mL反应爸，于195°C保温12小时。倒去上层液体，去离子水和乙醇清洗3次，最后样品分散于5mL氯仿(含0.3-1 %乙醇作为稳定剂)中。
[0025](3)将⑵得到的Cu2MoS4氯仿溶液装载于具有光学平整度的透明密封的比色皿中作为饱和吸收体器件使用。利用飞秒激光(130fs，800nm，I KHz)、通过开孔Z扫描技术研究其饱和吸收特性，其结果如图1，可观察到明显的饱和吸收特性。
[0026]实施例2
[0027]本实施例说明如何制备承载在聚合物聚乙烯醇(PVA)中的Cu2MoS4二维晶体的饱和吸收体。
[0028](I)取0.171g CuCl2.2H20和3.333g PVP溶于10mL去离子水中，搅拌，相继滴入1mL浓度为2mol/L的NaOH溶液和1mL浓度为0.6mol/L的抗坏血酸钠溶液，I小时后得到浑浊的黄色液体，6500rpm离心5min，乙醇和去离子水清洗3次，于60°C真空干燥5小时得到Cu2O粉末。
[0029](2)取30mg Na2MoO4.2H20和60mg硫代乙酰胺溶于20mL乙二醇中，加入20mg⑴中得到的Cu2O粉末，并水浴超声5min后移入50mL反应爸，于195°C保温12小时。倒去上层液体，去离子水和乙醇清洗3次，最后样品分散于5mL氯仿(含0.3-1 %乙醇作为稳定剂)中。
[0030](3)将0.3g PVA粉末分散在5mL氯仿(含0.3-1 %乙醇作为稳定剂)中，搅拌2h，使粉末溶解。
[0031 ] (4)将5mL PVA氯仿溶液和5mL Cu2MoS4氯仿溶液混合均匀，倒入表面光滑平整的表面皿中，并水平放于干燥箱中干燥两天得到平整干燥的PVA薄膜。
[0032](5)选取其中厚度均匀的部分作为饱和吸收体器件使用。利用飞秒激光(130fs，800nm，I KHz)、通过开孔Z扫描技术研究其饱和吸收特性，其结果如图2，可观察到明显的饱和吸收特性。
[0033]实施例3
[0034]本实施例说明如何制备承载在聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的Cu2MoS4二维晶体的饱和吸收体。
[0035](I)取0.171g CuCl2.2H20和3.333g PVP溶于10mL去离子水中，搅拌，相继滴入1mL浓度为2mol/L的NaOH溶液和1mL浓度为0.6mol/L的抗坏血酸钠溶液，I小时后得到浑浊的黄色液体，6500rpm离心5min，乙醇和去离子水清洗3次，于60°C真空干燥5小时得到Cu2O粉末。
[0036](2)取30mg Na2MoO4.2H20和60mg硫代乙酰胺溶于20mL乙二醇中，加入20mg⑴中得到的Cu2O粉末，并水浴超声5min后移入50mL反应爸，于195°C保温12小时。倒去上层液体，去离子水和乙醇清洗3次，最后样品分散于5mL氯仿(含0.3-1 %乙醇作为稳定剂)中。
[0037](3)将0.3g PMMA粉末分散在5ml氯仿(含0.3-1 %乙醇作为稳定剂)中，搅拌2h，使粉末溶解，然后与(2)所得Cu2MoS4氯仿溶液混合均匀。
[0038](3)以100rpm的转速将(3)所得溶液多次旋涂在厚度为0.2mm左右的玻璃片上，并将其水平置于干燥箱中于90°C 0.5MPa干燥24小时，使溶剂完全挥发，即得到平整干燥的PMMA薄膜。
[0039](4)选取其中厚度均匀的部分作为饱和吸收体器件使用。利用飞秒激光(130fs，800nm，IKHz)、通过开孔Z扫描技术研究其饱和吸收特性，同样可观察到明显的饱和吸收特性。
[0040]上述具体实施例用来解释说明本发明，而不是对本发明进行限制，在本发明的精神和权利要求的保护范围内，对本发明作出的任何修改和改变，都落入本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种Cu 2MoS4二维晶体的用途，其特征是:所述Cu 2MoS4二维晶体用于制备饱和吸收体的用途。2.一种基于Cu2MoS4二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是:包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，所述作为饱和吸收体的二维晶体是Cu2MoS4:维层状晶体。3.根据权利要求2所述的一种基于Cu#必4二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是:所述的基体为有机溶剂或有机聚合物。4.根据权利要求3所述的一种基于Cu#必4二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是:所述的有机聚合物为聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸甲酯。5.根据权利要求3所述的一种基于Cu#必4二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是:所述的有机溶剂为氯仿，氯仿内含0.3-1%乙醇作为稳定剂。6.权利要求2所述的一种基于Cu#必4二维晶体的饱和吸收体器件的用途，其特征是:所述饱和吸收体器件应用于脉冲激光器等领域。
【专利摘要】本发明公开了一种Cu2MoS4二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件。包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，饱和吸收体是Cu2MoS4二维层状晶体。本发明发现了新的具有优异饱和吸收特性的材料体系，为开发新型饱和吸收体提供了更大的空间，其器件具有廉价、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模器件的优点，可应用于脉冲光纤激光器等领域。
【IPC分类】H01S3/11, H01S3/067, H01S3/16
【公开号】CN105098576
【申请号】CN201510535751
【发明人】郭强兵, 刘小峰, 邱建荣
【申请人】浙江大学
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年8月27日