技术编号:8142021
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及纳米材料技术领域,尤其涉及一种In掺杂的ZnO单分散纳米颗粒及其 合成方法。背景技术ZnO是一种II-VI族化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3. 37eV,激子束缚能为 60meV,是制备室温和更高温度下的半导体激光器、紫外探测器、蓝紫光发光二极管等的理 想材料。ZnO零维纳米材料由于量子限域效应、表面效应、压电效应等所具有的优于体材料 的光学和电学性能等已经成为当前光电信息研究领域的热点。对ZnO纳米颗粒中进行In 的掺杂,让In替代Zn的位置,能对其能带进行调节和电学性能的改良,提高纳米晶中...
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