技术编号:8142241
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及硅基MgxZn1-xO(0.1<x<0.3)紫外电致发光器件及其制备方法。背景技术 近期,由于光电技术的发展,对紫外激光、高密度存储以及其他短波长光电器件的需求,使得宽禁带半导体受到了越来越多的关注。ZnO在室温下具有3.37eV的直接带隙和60meV的激子束缚能,使它成为实现紫外发光的理想光电子材料。1998年,A.Ohtomo首先提出,在ZnO中掺入Mg得到MgxZn1-xO合金,可以使得其禁带宽度增大(参考文献A.Ohtomo,M.Kawasaki,T.Koida,K.Masubuchi,H...
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