技术编号：8145036
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及在真空气氛中利用反应气体在基板上形成氮化钛膜的成膜装置及成 膜方法。背景技术在半导体晶圆的多层配线构造中，在下层侧的配线层与上层侧的配线层之间的层 间绝缘膜中形成有用于将这些配线层彼此连接起来的接触孔(Co ntact hole)的接触构造 中，存在将铝用作埋入在该接触孔内的金属材料的情况。在接触孔的内壁面上，作为用于防 止铝向层间绝缘膜内扩散的阻挡膜，形成有例如TiN(氮化钛、氮化钛)膜。在将该阻挡膜形成于接触孔的内壁面时，以往的CVD (Chemical Vapor Deposition)法的...
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