成膜装置及成膜方法

专利名称：成膜装置及成膜方法
技术领域：
本发明涉及在真空气氛中利用反应气体在基板上形成氮化钛膜的成膜装置及成 膜方法。
背景技术：
在半导体晶圆的多层配线构造中，在下层侧的配线层与上层侧的配线层之间的层 间绝缘膜中形成有用于将这些配线层彼此连接起来的接触孔(Co ntact hole)的接触构造 中，存在将铝用作埋入在该接触孔内的金属材料的情况。在接触孔的内壁面上，作为用于防 止铝向层间绝缘膜内扩散的阻挡膜，形成有例如TiN(氮化钛、氮化钛)膜。在将该阻挡膜形成于接触孔的内壁面时，以往的CVD (Chemical Vapor Deposition)法的包覆性并不良好，因此，作为取而代之的成膜方法，研究了例如 ALD(Atomic Layer Deposition)法、MLD(Molecular Layer Deposition)法或者 SFD (Sequential Flow Deposition)法等。在利用这些成膜方法形成TiN膜的情况下，例如向半导体晶圆上交替供给 TiCl4 (氯化钛)气体和NH3 (氨)气体，从而依次层叠TiN的分子层。该方法的埋入特性(包 覆率)也达到了 90%以上，能够大幅度改良埋入特性，但由于成膜速度较慢，因此存在生产 率较差这样的课题。另外，若将各次的TiCl4气体的气氛维持到11(14气体的吸附饱和为止、 即进行饱和吸附的话，则无法控制膜表面的形态(面状态)。即，若加长在晶圆上的反应气 体的吸附时间(反应气体的供给时间)直到该反应气体的吸附量饱和为止，则在TiN膜的 情况下，例如在供给NH3气体的期间里，在晶圆的表面进行所生成的TiN粒子的结晶化，从 而产生原子、分子的迁移(移动)，导致薄膜的表面形态恶化。另外，在CVD法中，无法避免 该结晶化的进行。因此，在形成面向下一代的电容器电极时，在例如采用TiN膜作为氧化锆)、 TiO (氧化钛)、Ta0(氧化钽)等的阻挡膜的情况下，若该TiN膜的表面形状粗糙，则在电容 器电极上会出现局部电荷集中。并且，为了抑制TiN的迁移而例如在低温下进行成膜的情况下，既存在反应气体 的分解不充分的情况，也存在反应气体中的Cl (氯)等混入到薄膜中而无法得到如设定那 样的电特性的情况。例如在美国专利公报7，153，542号、日本国专利3144664号公报、美国专利公报 6，869，641号等中对ALD法等有所记载，但并未对上述课题进行研究。

发明内容
本发明即是鉴于这种情况而做成的，其实施方式的一个目的在于提供在真空容器 内利用反应气体在基板上形成氮化钛膜时，能够迅速地形成该氮化钛膜，并且能够得到表 面形状平滑的氮化钛膜的成膜装置、成膜方法及存储有用于实施该方法的程序的能够供计 算机读取的存储介质。
根据本发明的一个技术方案，提供一种成膜装置，该成膜装置包括工作台，其设 置在真空容器内，其设有用于载置基板的基板载置区域；第一反应气体供给装置和第二反 应气体供给装置，其在上述真空容器的周向上互相分开地设置，用于分别向上述工作台上 的基板供给含有Ti的第一反应气体和含有N的第二反应气体；分离区域，其设置在被供给 上述第一反应气体的第一处理区域与被供给上述第二反应气体的第二处理区域之间，用于 将两种反应气体分开；旋转机构，其使上述第一反应气体供给装置和上述第二反应气体供 给装置与上述工作台在上述真空容器的周向上相对旋转，从而使上述基板按上述第一处理 区域、上述第二处理区域这样的顺序位于上述第一处理区域和上述第二处理区域；真空排 气装置，其用于对上述真空容器进行真空排气；控制部，其进行如下控制在上述基板上成 膜时，利用上述旋转机构使上述第一反应气体供给装置和上述第二反应气体供给装置与上 述工作台以IOOrpm以上的转速旋转；在上述真空容器内按顺序向上述基板的表面供给上 述第一反应气体和上述第二反应气体而形成氮化钛膜。还包括活化气体喷射器，其用于向上述工作台上的基板供给NH3气体或H2气体中 的至少一种气体的等离子体，该活化气体喷射器在上述旋转机构的作用下与上述第一反应 气体供给装置和上述第二反应气体供给装置一同相对于上述工作台进行相对旋转，也可以 采用在上述相对旋转时在上述第二处理区域与上述第一处理区域之间向基板供给上述等 离子体的配置。上述分离区域也可以包括用于供给分离气体的分离气体供给装置，还可以包括位 于该分离气体供给装置的上述周向两侧的顶面，在该顶面与上述工作台之间形成供分离气 体从该分离区域流到处理区域侧的狭窄的空间。上述第一反应气体供给装置和上述第二反应气体供给装置也可以具有这样的构 造，即，自上述第一处理区域和上述第二处理区域中的各自的顶面分开地分别设置在基板 附近，用于朝向上述基板的方向分别供给上述第一反应气体和上述第二反应气体。根据本发明的一个技术方案，提供一种成膜方法，该成膜方法在真空容器内按顺 序向基板的表面供给含有Ti的第一反应气体和含有N的第二反应气体而形成氮化钛膜，其 中，包括以下工序自第一反应气体供给装置和第二反应气体供给装置分别向工作台的表 面供给上述第一反应气体和上述第二反应气体，该第一反应气体供给装置和第二反应气体 供给装置在上述真空容器的周向上互相分开地设置，该工作台设有用于载置上述基板的基 板载置区域；在设于被供给上述第一反应气体的第一处理区域和被供给上述第二反应气体 的第二处理区域之间的分离区域内将两种反应气体分离；使上述第一反应气体供给装置和 上述第二反应气体供给装置与上述工作台在上述真空容器的周向上以IOOrpm以上的转速 相对旋转，从而使上述基板按上述第一处理区域、上述第二处理区域这样的顺序位于上述 第一处理区域和上述第二处理区域；对上述真空容器进行真空排气。还包括自活化气体喷射器向上述工作台上的基板供给NH3气体或H2气体中的至少 一种气体的等离子体的工序，在上述使第一反应气体供给装置和第二反应气体供给装置与 上述工作台相对旋转的工序中，也可以使上述活化气体喷射器与上述第一反应气体供给装 置和上述第二反应气体供给装置一同相对于上述工作台相对旋转，从而在上述相对旋转时 在上述第二处理区域与上述第一处理区域之间向上述基板供给上述等离子体。在上述两种气体分离的工序中，可以自分离气体供给装置向上述分离区域供给分
5离气体，也可以自上述分离气体供给装置向位于上述分离气体供给装置的上述周向两侧 的、供分离气体从上述分离区域流到处理区域侧而形成在上述工作台与上述真空容器的顶 面之间的狭窄的空间供给分离气体。在供给上述第一反应气体和上述第二反应气体的工序中，也可以从自上述第一处 理区域和上述第二处理区域中的各顶面分开地分别设置在上述基板附近的上述第一反应 气体供给装置和上述第二反应气体供给装置分别朝向上述基板的方向供给上述第一反应 气体和上述第二反应气体。根据本发明的一个技术方案，提供一种有形的能够供计算机读取的存储介质，该 存储介质存储有在由计算机执行时、使计算机执行在真空容器内按顺序向基板的表面供给 含有Ti的第一反应气体和含有N的第二反应气体而形成氮化钛膜的成膜装置的处理，其 中，上述处理包括以下过程使上述计算机执行自在上述真空容器的周向上互相分开地设 置的第一反应气体供给装置和第二反应气体供给装置，分别向设有用于载置上述基板的基 板载置区域的工作台的表面供给上述第一反应气体和上述第二反应气体；使上述计算机执 行在设于被供给上述第一反应气体的第一处理区域与被供给上述第二反应气体的第二处 理区域之间的分离区域中将两种反应气体分离；使上述计算机执行使上述第一反应气体供 给装置和上述第二反应气体供给装置与上述工作台在上述真空容器的周向上以IOOrpm以 上的转速相对旋转，从而使上述基板按上述第一处理区域、上述第二处理区域这样的顺序 位于上述第一处理区域和上述第二处理区域；使上述计算机执行对上述真空容器进行真空 排气。


图1是表示本发明的第一实施方式的成膜装置的一个例子的纵剖视图。图2是表示第一实施方式的成膜装置的内部概略结构的一个例子的立体图。图3是表示第一实施方式的成膜装置的横剖俯视图。图4A、4B是表示上述成膜装置的处理区域和分离区域的一个例子的纵剖视图。图5A、5B是更详细地表示上述成膜装置的处理区域和分离区域的一个例子的纵 剖视图。图6是表示上述成膜装置的一部分的纵剖视图。图7的A D是表示在上述成膜装置中形成TiN膜时的作用的一个例子的示意图。图8是表示上述成膜装置的真空容器内的气流的一个例子的概略图。图9A 9D是表示使用以往的ALD法形成TiN膜的情况下的作用的一个例子的示 意图。图10是表示本发明的第二实施方式的成膜装置的一个例子的俯视图。图11是表示第二实施方式的成膜装置的局部分解立体图。图12是表示第二实施方式的成膜装置的局部放大剖视图。图13A 13D是表示第二实施方式的成膜装置的作用的一个例子的示意图。图14A 14C是表示在本发明的实施例中得到的实验结果的特性图。图15是表示在本发明的实施例中得到的实验结果的特性图。
具体实施例方式第一实施方式如图1(图3中的1-1’的剖视图) 图3所示，本发明的第一实施方式的成膜装 置的一个例子包括平面(俯视)形状为大致圆形的扁平的真空容器(或者腔室)1、及设置 在该真空容器ι内且在该真空容器1的中心具有旋转中心的旋转台2。真空容器1的顶板 11能够相对于容器主体12装卸。通过真空容器1内被减压，该顶板11夹着以环状设置于 容器主体12上表面的周缘部的密封构件、例如0型密封圈13向容器主体12侧被吸引而维 持气密状态，在自容器主体12分离时，其被未图示的驱动机构向上方抬起。旋转台2的中心部被固定于圆筒形状的芯部21，该芯部21固定在沿着铅垂方向延 伸的旋转轴22的上端。旋转轴22贯穿真空容器1的底面部14，其下端安装于驱动部23， 该驱动部23形成旋转机构，该旋转机构使该旋转轴22绕铅垂轴线、在该例子中是顺时针旋 转。于是，如后所述，旋转台2利用该驱动部23能够在形成薄膜的过程中例如以IOOrpm MOrpm绕铅垂方向轴线旋转。旋转轴22和驱动部23被收纳在上表面开口的筒状的壳体 20内。该壳体20的设置在其上表面的凸缘部分气密地安装于真空容器1的底面部14的下 表面，从而维持壳体20的内部气氛与外部气氛之间的气密状态。如图2及图3所示，在旋转台2的表面部沿着旋转方向(周向)R设有圆形的凹部 24，该凹部M用于载置多张、例如五张用于形成基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)W。 另外，为了方便起见，在图3中仅在一个凹部M绘有晶圆W。在此，图4A及图4B是沿着同 心圆剖切旋转台2并将其横向展开来表示的展开图，如图4A所示，凹部M的直径比晶圆W 的直径稍大，例如大4mm，其深度被设定为与晶圆W的厚度相等的尺寸。图4B以箭头表示 图4A中的气体流动。因而，在将晶圆W投入到凹部M时，晶圆W的表面与旋转台2的表面 (即未载置晶圆W的区域)对齐。在凹部M的底面形成有供例如三根升降销贯穿的通孔 (均未图示)，该升降销用于支承晶圆W的背面而使该晶圆W升降。该凹部M用于将晶圆W定位，使其不会因随着旋转台2的旋转产生的离心力而飞 出，其是相当于本实施方式中的基板载置区域的部位。如图2及图3所示，在真空容器1中，在分别与旋转台2中的凹部M的通过区域 相对的上方位置，第一反应气体喷嘴31和第二反应气体喷嘴32与两根分离气体喷嘴41、42 在真空容器1的周向(即旋转台2的旋转方向R)上互相隔开间隔地自中心部呈放射状延 伸。在该例子中，从后述的输送口 15观察，第二反应气体喷嘴32、分离气体喷嘴41、第一反 应气体喷嘴31和分离气体喷嘴42按照该顺序顺时针排列。这些反应气体喷嘴31、32和分 离气体喷嘴41、42例如安装在真空容器1的侧周壁，作为其基端部的气体导入件31a、32a、 41a、42a贯穿该侧壁。这些气体喷嘴31、32、41、42从真空容器1的周壁部导入到真空容器1内。第一反应气体喷嘴31和第二反应气体喷嘴32分别经由未图示的流量调整阀等各 自连接于作为第一反应气体(处理气体)的含有Ti(钛)的反应气体例如TiCl4(氯化钛) 气体、及作为第二反应气体的含有N(氮)的反应气体例如NH3 (氨)气体的供给源(均未 图示)。另外，分离气体喷嘴41、42均经由流量调整阀等连接于积存有作为分离气体(非活 性气体)的队(氮)气体的气体供给源(未图示)。在反应气体喷嘴31、32的喷嘴长度方向上隔开例如2. 5mm间隔且朝向正下方地形成有例如口径为0. 3mm的喷出孔，该喷出孔形成用于向例如图4A中下方侧喷出反应气体的 处理气体供给口。另外，在分离气体喷嘴41、42的长度方向上隔开例如IOmm左右的间隔且 朝向正下方地穿设有用于向下方侧喷出分离气体的、例如口径为0. 5mm的喷出孔40。反应 气体喷嘴31、32分别形成第一反应气体供给部件(或者第一反应气体供给装置)及第二反 应气体供给部件(或者第二反应气体供给装置)，分离气体喷嘴41、42形成分离气体供给 部件(或者分离气体供给装置)。另外，反应气体喷嘴31、32的下方区域分别形成用于使 TiCl4气体吸附于晶圆W的第一处理区域91和用于使NH3气体吸附于晶圆W的第二处理区 域92。虽然在上述的图1 图3、图4A及图4B中省略图示，但如图5A所示，还设置有喷 嘴罩120，该喷嘴罩120自处理区域91、92中的顶面45分开地分别设置在晶圆W的附近，其 沿着喷嘴31、32的长度方向从上方侧覆盖这些喷嘴31、32且其下方侧开口。喷嘴罩120的 位于旋转台2的旋转方向R上的两侧面部的下端部向水平方向伸出而形成凸缘状的整流构 件121。该整流构件121为了抑制分离气体蔓延到处理区域91、92内及反应气体扬起到喷 嘴31、32的上方侧而设置，其具有随着自旋转台2的中心侧朝向外周侧而沿旋转方向R的 宽度尺寸变大的形状。因此，像图5B中以箭头表示气体流动那样，自这些喷嘴31、32的上 游侧朝向各处理区域91、92流动的分离气体通过喷嘴罩120的上方区域分别被排出到排气 口 61、62，各处理区域91、92中的反应气体的浓度能够保持得较高。另外，图5A及图5B均 是沿着旋转台2的周向纵切装置并将其展开的图，在成膜装置中，在比处理区域91、92及分 离区域D靠外方的区域内设有排气口 61、62，但为了表示各气体的流动，方便起见将处理区 域91、92、分离区域D和排气口 61、62表示在同一平面内。另外，该整流构件121既可以如 图5A及图5B所示那样形成在旋转台2的旋转方向R上的两侧面，也可以仅设置于上游侧 和下游侧中的一侧。分离气体喷嘴41、42用于形成将第一处理区域91和第二处理区域92分离的分离 区域D，如图2、图3、图4A及图4B所示，在该分离区域D中的真空容器1的顶板11上设有 凸状部4，该凸状部4是在周向上分割以旋转台2的旋转中心为中心且沿着真空容器1的内 周壁附近描画的圆而成的，其平面形状为扇形且向下方突出。分离气体喷嘴41、42被收纳 在槽部43内，该槽部43形成为在上述圆的位于该凸状部4内部分的周向中央沿着该圆的 半径方向延伸。即，从分离气体喷嘴4K42)的中心轴线到凸状部4的扇形两缘(即旋转台 2的旋转方向R的上游侧的缘及下游侧的缘)的距离被设定为相同的长度。另外，槽部43在本实施方式形成为将凸状部4 二等分，但例如也可以如下那样形 成槽部43，S卩，从槽部43观察，凸状部4的旋转台2的旋转方向R的上游侧宽于其上述旋转 方向R的下游侧。因而，在分离气体喷嘴41、42的上述旋转方向R的两侧存在上述凸状部4的下表 面、例如平坦且较低的顶面44 (第一顶面)，在该顶面44的上述旋转方向R的两侧存在比该 顶面44高的顶面45 (第二顶面)。该凸状部4的作用在于，在其与旋转台2之间形成用于 阻止第一反应气体和第二反应气体进入而阻止这些反应气体混合的狭窄的空间、即分离空 间。S卩，以分离气体喷嘴41为例，分离空间阻止NH3气体从旋转台2的旋转方向R的 上游侧进入，并阻止TiCl4气体从旋转方向R的下游侧进入。
在该例子中，将直径300mm的晶圆W作为被处理基板，在这种情况下，凸状部4在 自旋转台2的旋转中心向外周侧离开140mm的部位(即其与后述的突出部5的边界部分)， 其周向的长度(即其与旋转台2的同心的圆的圆弧长度)例如为146mm，在载置有晶圆W的 基板载置区域(凹部的最外侧部位，其周向的长度例如为502mm。另外，如图4A所示， 在该外侧部位自分离气体喷嘴41 (42)的两侧分别位于左右的凸状部4的周向长度L例如 为 246mm。另外，如图4A所示，凸状部4的下表面、即顶面44距旋转台2的表面的高度h被 设定为例如0. 5mm 4mm。因此，为了确保分离区域D的分离功能，与旋转台2的转速的使 用范围等相应地例如根据实验等设定凸状部4的尺寸、凸状部4的下表面(第一顶面44)与 旋转台2的表面之间的高度h。另外，分离气体并不限定于氮(N2)气体，也可以采用氩(Ar) 气体等惰性气体等。突出部5以与旋转台2中的比芯部21靠外周侧的部位相对的方式、且沿着该芯部 21的外周地设 置在顶板11的下表面。该突出部5与凸状部4的位于旋转台2的旋转中心 侧的部位连续地形成，其下表面形成为与凸状部4的下表面(顶面44)相同的高度。图2 及图3表示在比上述顶面45低且比分离气体喷嘴41、42高的位置将顶板11水平切断。另 外，突出部5和凸状部4并不必限定为一体，也可以独立设置。真空容器1的顶板11的下表面、即从旋转台2的基板载置区域(凹部24)观察的 顶面如上所述那样在周向上存在第一顶面44和比该顶面44高的第二顶面45，但在图1中 表示了设有高的顶面45的区域的纵截面，在图6中表示了设有低的顶面44的区域的纵截 面。如图2及图6所示，扇形的凸状部4的周缘部(即真空容器1的外缘侧的部位)与旋 转台2的外端面相对地弯曲成L字形而形成弯曲部46。扇形的凸状部4设置于顶板11侧 并能够自容器主体12拆卸，因此，在上述弯曲部46的外周面与容器主体12之间存在微小 的间隙。该弯曲部46也是与凸状部4同样地出于防止反应气体从两侧进入而防止两种反 应气体混合的目的而设置的，弯曲部46的内周面和旋转台2的外端面之间的间隙、及弯曲 部46的外周面和容器主体12之间的间隙被设定为与顶面44距旋转台2的表面的高度h 相同的尺寸。在该例子中，能够从旋转台2的表面侧区域看到弯曲部46的内周面构成真空 容器1的内周壁。容器主体12的内周壁在分离区域D中如图6所示那样接近上述弯曲部46的外周 面而形成为垂直面，但在除分离区域D之外的部位，其如图1所示那样成为例如从与旋转台 2的外端面相对的部位直至底面部14而其纵截面形状被切削为矩形并向外方侧凹陷的构 造。将该凹陷的部位中的与上述第一处理区域91和第二处理区域92连通的区域分别称作 第一排气区域El和第二排气区域E2。如图3所示，在这些第一排气区域El和第二排气区 域E2的底部分别形成有第一排气口 61和第二排气口 62。如图1所示，这些排气口 61、62 分别经由排气通路63连接于形成真空排气部件(或者真空排气装置)的例如真空泵64。 另外，在图1中，附图标记65是压力调整部件(或者压力调整装置)，其设置在每个排气通 路63中。如上所述，排气口 61、62为了发挥分离区域D的分离作用，在俯视观察时其设置在 上述分离区域D的上述旋转方向R的两侧。详细地讲，从旋转台2的旋转中心观察，在第一 处理区域91和例如在旋转方向R的下游侧与该第一处理区域91邻接的分离区域D之间形成有第一排气口 61，从旋转台2的旋转中心观察，在第二处理区域92和例如在旋转方向R 的下游侧与该第二处理区域92邻接的分离区域D之间形成有第二排气口 62。这些排气口 61、62配置为分别专门用于(各自)排出各反应气体(TiCl4气体和NH3气体)。在该例子 中，一个排气口 61设置在第一反应气体喷嘴31和在上述旋转方向R下游侧与该第一反应 气体喷嘴31邻接的分离区域D的靠第一反应气体喷嘴31—侧的缘的延长线之间，而且，另 一个排气口 62设置在第二反应气体喷嘴32和在上述旋转方向R下游侧与该第二反应气体 喷嘴32邻接的分离区域D的靠第二反应气体喷嘴32 —侧的缘的延长线之间。即，第一排 气口 61设置在图3中以单点划线表示的直线Ll和直线L2之间，该直线Ll通过旋转台2 的中心和第一处理区域91，该直线L2通过旋转台2的中心和与上述第1处理区域91的下 游侧邻接的分离区域D的靠上游一侧的缘，第二排气口 62设置在图3中以双点划线表示的 直线L3和直线L4之间，该直线L3通过旋转台2的中心和第二处理区域92，该直线L4通过 旋转台2的中心和与上述第二处理区域92的下游侧邻接的分离区域D的靠上游一侧的缘。在该例子中，通过将排气口 61、62设置在比旋转台2低的位置而从真空容器1的 内周壁与旋转台2的周缘之间的间隙排气，但并不限定于设置在真空容器1的底面部，也可 以将排气口 61、62设置于真空容器1的侧壁。如图1所示，在上述旋转台2与真空容器1的底面部14之间的空间中设有形成加 热部件(或者加热装置)的加热器单元7，其隔着旋转台2将旋转台2上的晶圆W加热到由 工艺制程程序确定的温度。在上述旋转台2的周缘附近的下方侧，为了划分从旋转台2的 上方空间到排气区域E的气氛和放置有加热器单元7的气氛，以整周围着加热器单元7的 方式设有罩构件71。该罩构件71的上缘向外侧弯曲而形成为凸缘形状，减小该弯曲面与旋 转台2的下表面之间的间隙来抑制气体从外方进入到罩构件71内。位于比配置有加热器单元7的空间靠近旋转中心的部位的底面部14在旋转台2 的下表面的中心部附近接近芯部21，两者之间形成狭小的空间。另外，对于贯穿该底面部 14的旋转轴22的通孔，其内周面与旋转轴22的间隙在旋转台2的下表面的中心部附近变 窄。这些狭小的空间连通到上述壳体20内。而且，在壳体20内设有吹扫气供给管72，其用 于向上述狭小的空间内供给用作吹扫气体的N2气体来进行吹扫。在真空容器1的底面部 14中，在加热器单元7的下方侧位置中的周向的多个部位设有用于吹扫加热器单元7的配 置空间的吹扫气供给管73。这样，通过设置吹扫气供给管72、73，从壳体20内到加热器单元7的配置空间的 空间被N2气体吹扫，该吹扫气自旋转台2与罩构件71之间的间隙经由排气区域E被排出 到排气口 61、62。由此，防止TiCl4气体或NH3气体从上述第一处理区域91和第二处理区 域92中的一个区域经由旋转台2的下方蔓延到另一个区域中，因此，该吹扫气也能够起到 分离气体的作用。另外，在真空容器1的顶板11的中心部连接有分离气体供给管51，其能够向顶板 11与芯部21之间的空间52中供给用作分离气体的N2气体。供给到该空间52中的分离气 体经由上述突出部5与旋转台2的狭小的间隙50沿着旋转台2的基板载置区域侧的表面 朝向周缘被喷出。由于在由该突出部5围成的空间中充满了分离气体，因此，能够防止反应 气体(TiCl4气体和NH3气体)在第一处理区域91和第二处理区域92之间经由旋转台2的 中心部混合。图3所示，在真空容器1的侧壁还形成有用于在外部的输送臂10与旋转 台2之间交接晶圆W的输送口 15。该输送口 15能够利用未图示的闸阀打开或关闭。另外， 在用于形成旋转台2中的基板载置区域的凹部M与面向该输送口 15的位置时进行其与输 送臂10之间的晶圆W的交接，因此，在旋转台2的下方侧的与该交接位置相对应的部位设 有交接用的升降销16的升降机构(未图示)，该升降销用于贯穿凹部M而从背面抬起晶圆 I如上述图1所示，该成膜装置包括用于控制整个装置的动作的、能够由计算机形 成的控制部100。该控制部100具有CPU等处理器100A和存储器等存储部100B。存储部 100B存储由CPU执行的处理程序和制程程序等各种数据，也可以形成在CPU执行处理程序 的运算时所采用的工作存储器。工作存储器也可以由相对于存储部100B独立的存储器等 形成。在该存储部100B中，针对对晶圆W进行的每个处理的种类存储有晶圆W的加热温度、 各反应气体的流量、真空容器1内的压力及旋转台2的转速等制程程序(处理条件、处理参 数等)。在向晶圆W供给反应气体而进行薄膜的成膜处理时，为了迅速地形成薄膜，并像后 述的实施例那样使薄膜的表面形态良好(即，使表面的面状态平滑)，旋转台2的转速根据 存储在存储部100B中的制程程序被设定为例如IOOrpm MOrpm。上述处理程序也可以自 硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、软盘、半导体存储装置等有形的(tangible)且计算机能够读 取的存储介质85安装于控制部100内的存储部100B。不言而喻，也可以是控制部100的存 储部IOOB自身形成存储有处理程序的能够由计算机读取的存储介质。在控制部100上能够连接供操作人员输入数据和指示的操作面板等输入装置(未 图示)、用于显示针对操作人员的信息、操作菜单和成膜装置的状态等状态的显示装置(未 图示)等。输入装置和显示装置也可以一体地设置于触摸面板这样的用户界面部。根据需要，通过根据来自用户界面部的指示等从存储部IOOB调出任意的制程程 序和处理程序而使CPU执行处理程序，能够在控制部100的控制下使成膜装置执行目标 功能而进行目标处理。即，处理程序使计算机实现与成膜装置的成膜处理相关的功能、或 者使计算机执行与成膜装置的成膜处理相关的过程，从而以使计算机作为执行成膜装置 的成膜处理的部件起作用的方式控制成膜装置。另外，至少程序也能够将存储在有形的 (tangible)且计算机能够读取的存储介质中的状态的程序安装于控制部80来利用、或者 自控制部100的外部的装置(未图示)例如通过专用线路随时传送而在线利用。接着，参照图7及图8说明上述第一实施方式的成膜装置的动作。首先，打开闸阀， 利用输送臂10将晶圆W从外部经由输送口 15交接到旋转台2的凹部24内。该交接通过 在凹部M停止在面向输送口 15的位置时升降销从真空容器1的底面侧通过凹部M底面 的通孔升降来进行。使旋转台2间断地旋转来进行这种方式的晶圆W的交接，将晶圆W分 别载置于旋转台2的例如5个凹部M内。接着，关闭闸阀并使压力调整部件65的开度为 全开，使真空容器1内成为隔断状态，使旋转台2例如以IOOrpm的转速顺时针旋转，并且， 利用加热器单元7将晶圆W(即旋转台2)加热到TiN(氮化钛)的结晶化的温度例如250°C 以上的温度、在该例子中是加热到400°C。接着，调整压力调整部件65的开度，使得真空容器1内的压力值成为规定的值、例 如1066. 4Pa(8Torr)0另外，例如以IOOsccm自第一反应气体喷嘴31供给TiCl4气体，并且 例如以5000SCCm自第二反应气体喷嘴32供给NH3气体。另外，均以lOOOOsccm自分离气
11体喷嘴41、42供给N2气体，并且也以规定流量自分离气体供给管51和吹扫气供给管72、73 向真空容器1内供给N2气体。然后，在利用旋转台2的旋转使晶圆W通过第一处理区域91时，如图7的A所示， 在该晶圆W的表面吸附有TiCl4气体。此时，使旋转台2如上所述那样高速旋转，并如上所 述那样设定反应气体的流量、处理压力，因此，晶圆W上的TiCl4W吸附膜151的膜厚tl比 例如将晶圆W静置在TiCl4气体的气氛中直到TiCl4气体的吸附量饱和为止时的饱和膜厚 to薄。在这样使TiCl4气体的吸附膜厚tl形成得薄于饱和膜厚to时，如上所述从旋转台 2的旋转中心朝向外周侧而以与旋转台2水平并接近晶圆W的方式设置第一反应气体喷嘴 31，并在该气体喷嘴31的整个长度方向上等间隔地设置喷出孔33，并且，在各处理区域91、 92之间分别设置分离区域D而谋求真空容器1内的气流稳定化，因此，TiCl4气体被均勻地 供给到晶圆W上，吸附膜151的膜厚在晶圆W的整个面内均勻。接着，在该晶圆W通过第二处理区域92时，如图7的B所示，晶圆W表面的吸附膜 151被氮化，生成一层或多层TiN膜152的分子层。由于随着结晶化而产生原子和分子的迁 移(移动)，因此该TiN膜152的结晶粒度(grain size)有变大趋势(即欲进行粒生长)。 随着该粒生长的进行，TiN膜152的表面形态恶化(即表面状态变粗糙)。但是，由于如上 所述那样使旋转台2高速旋转，在表面形成有TiN膜152的晶圆W随后马上通过第一处理 区域91，接着迅速到达第二处理区域92。S卩，可以说包含TiCl4气体吸附于晶圆W的表面 及该TiCl4气体的氮化处理的循环之间的时间(即TiN膜152进行结晶化的时间)被设定 得极短。因此，如图7的C及图7的D所示，在下层侧的TiN膜152进行结晶化之前在上层 侧层叠TiN膜153，从而下层侧的TiN膜152的原子和分子的移动被上层侧的反应生成物、 即TiN膜153阻碍，可以说下层侧的TiN膜152的表面状态(具体地讲是粒生长)被上层 侧的TiN膜153限制。另外，由于吸附膜151的膜厚tl如上所述那样形成得较薄，因此， 即使在TiN膜152中TiN粒子发生结晶化，也能够将生长后的结晶粒度(即表面形态的恶 化程度)抑制得较小。因而，像后述的实施例中说明的那样，与利用CVD(ChemiCal Vapor Deposition)法、循环之间的时间较长的以往的ALD(Atomic Layer Deposition)法等成膜 的情况相比，该下层侧的TiN膜152的结晶粒度极小，且表面状态平滑。另外，上层侧的TiN膜153接着迅速地通过处理区域91、92，因此，该上层侧的TiN 膜153的原子和分子的移动同样被形成在更上层侧的TiN膜限制。晶圆W这样在第一处理 区域91和第二处理区域92中按照该顺序交替地通过多次，从而，上述结晶粒度极小且表面 平滑的反应生成物依次层叠而形成TiN膜的薄膜。由于如上所述那样使旋转台2高速旋转， 因此，该薄膜比例如以往的ALD法更迅速地形成。此时的成膜速度与各反应气体的供给量、 真空容器1内的处理压力等相应地变化，列举一个例子，例如为5. 47nm/min左右。此时，由于在分离区域D中供给有队气体，而且在中心部区域C中也供给有作为分 离气体的队气体，因此，即使在如上所述那样使旋转台2高速旋转的情况下，也能够像图8 中以箭头表示的气体流动那样以TiCl4气体和NH3气体不会混合的方式排出各气体。另外， 在分离区域D中，由于弯曲部46与旋转台2的外端面之间的间隙如上所述那样变窄，因此， TiCl4气体和NH3气体即使经由旋转台2的外侧也不会混合。因而，第一处理区域91的气氛 和第二处理区域92的气氛被完全分离，TiCl4气体被排出到排气口 61力氏气体被排出到排 气口 62。结果，TiCl4气体和NH3气体无论在气氛中还是在晶圆W上都不会混合。另外，由于利用N2气体吹扫旋转台2的下方侧，因此，流入到排气区域E的气体也不会通过旋转台2 的下方侧，例如TiCl4气体不会流入到NH3气体的供给区域中。在这样完成成膜处理时，停 止供给气体而对真空容器1内进行真空排气，之后，使旋转台2停止旋转，利用与搬入晶圆 W时相反的动作借助输送臂10将各晶圆W按顺序搬出到真空容器1之外。在此，对处理参数的一个例子进行记载，来自真空容器1中心部的分离气体供给 管51的N2气体流量例如为5000sCCm。另外，相对于一张晶圆W的反应气体供给循环数、 即晶圆W分别通过处理区域91、92的次数与目标膜厚相应地改变，该次数为很多次、例如为 600 次。采用上述实施方式，在真空容器1内的旋转台2上载置晶圆W，对该晶圆W供给反 应气体而在真空气氛下形成氮化钛膜的过程中，在进行薄膜的成膜处理时，使旋转台2和 各气体喷嘴31、32、41、42以IOOrpm以上的转速沿着真空容器1的周向相对旋转。因此，能 够高速地进行反应气体的供给循环(或者反应生成物的成膜循环)，从而能够迅速地形成 薄膜，能够提高生产率。另外，由于反应气体的供给循环期间的时间极短，因此，由在基板 的表面生成的反应生成物的结晶化导致粒径粗大化之前，在上层侧层叠下一个反应生成物 的层，可以说能够利用上层侧的反应生成物限制下层侧的反应生成物的原子和分子的迁移 (移动)，因此，其结果能够抑制使表面形状恶化的迁移。因而，与利用以往的CVD法、循环 期间的时间较长的ALD形成的薄膜相比，能够得到表面形状平滑的薄膜。因此，在将该TiN膜用作下一代电容器电极、例如氧化锆)、Ti0(氧化钛)、 TaO(氧化钽)等的阻挡膜的情况下，能够抑制该电极的电荷集中而获得良好的电特性。另 外，在半导体装置的多层构造中，在上层侧的配线层与下层侧的配线层之间的层间绝缘膜 中的用于埋入将这些配线层彼此连接起来的铝等金属层的接触孔等的凹部中，将该TiN膜 用作用于防止金属层向层间绝缘膜扩散的阻挡膜时，即使在该接触孔的长宽比大到50左 右的情况下，也同样能够迅速地得到表面平滑且包覆性较高的薄膜。另外，由于吸附在晶圆W上的吸附膜151的膜厚t 1小于饱和膜厚t0，因此，即使 TiN粒子发生了结晶化，也能够将生长的晶粒的粒度抑制得极小。即，在本实施方式中，通过 使旋转台2高速旋转，可以说能够将吸附膜151的膜厚tl抑制得较薄(减小结晶粒度)。另一方面，在将旋转台2的转速设定为低速、例如30rpm以下来进行TiN膜152的 成膜处理的情况下，如图9A所示，例如吸附膜151的膜厚t2与饱和膜厚t0大致相等，薄膜 的表面形态恶化。即，如图9B所示，在对形成有该吸附膜151的晶圆W供给NH3气体而生成 TiN膜152时，由形成TiCl4的吸附膜151和该吸附膜151的氮化构成的处理循环期间的时 间较长，因此，如图9C所示，直到在TiN膜152的上层形成下一层的TiN膜153为止的期间 里，由于在该TiN膜152中TiN粒子进行结晶化导致原子和分子发生迁移(移动)，表面形 态恶化。此时，吸附膜151的膜厚t2大于上述膜厚tl，因此，存在因结晶化而生长的粒子的 尺寸(表面状态的恶化)也与该膜厚t2相应地变大的情况。因此，在向该表面状态粗糙的TiN膜152的表面供给TiCl4气体时，如图9D所示， 上层侧的吸附膜151仿效下层侧的TiN膜152的表面而形成，因此，该吸附膜151的表面也 成为与TiN膜152同样粗糙的状态。之后，在向该上层侧的吸附膜151供给NH3气体时，上 层侧的TiN膜153也同样进行结晶化，因此表面更加粗糙。通过这样依次层叠的TiN膜分 别进行结晶化，导致得到的薄膜表面成为凹凸极大的状态。因而，在这样将旋转台2的转速设定为低速来进行成膜处理的情况下，极难控制表面形态。另外，在将旋转台2的转速设定 得较慢时，成膜速度也会变慢。由以上可知，在本实施方式中，通过将旋转台2的转速设定为高速来形成TiN膜， 能够迅速地形成表面形态良好的TiN膜。在此，在本实施方式的成膜装置中，与旋转台2上 的晶圆W相对地设置各反应气体喷嘴31、32，因此，通过例如增大反应气体的流量、或者通 过将处理压力设定得较高，也可以使吸附在晶圆W上的反应气体的吸附量饱和。在这种情 况下，由于旋转台2高速旋转，因此，也能够在TiN膜152进行结晶化之前形成连续的上层 侧的TiN膜153，从而能够得到表面形态良好的薄膜。另外，由于能够获得各反应循环中的 膜厚，因此，能够进一步提高生产率。这样，即使在增加反应气体的供给量、或者提高处理压 力的情况下，各反应气体也同样能够各自排出。作为上述第一反应气体，除上述例子之外，也可以采用含有Ti的气体、例如 TDMAT(四(二甲氨基)钛)气体等，作为第二反应气体，也可以使順3气体自由基化来使用。 另外，在旋转台2的转速过高时，例如薄膜的包覆性降低，因此，例如也可以在MOrpm以下。 即，在后述的实施例中进行形成TiN膜的实验时，即使旋转台2的转速为240rpm，也会形成 良好的包覆性，因此，可以说只要转速至少在MOrpm以下，就能够得到良好的包覆性。第二实施方式在上述第一实施方式中，重复多次包括形成TiCl4气体的吸附膜151、通过该吸附 膜151氮化来形成TiN膜152的成膜循环来进行成膜，例如在TiN膜152中含有杂质等的 情况下，也可以在成膜循环的期间内对TiN膜152进行等离子处理。下面，作为第二实施 方式，参照图10 图12说明这样进行等离子处理的情况下的成膜装置的一个例子。在图 10 图12中对与图1 图6相同的部分标注相同的附图标记，并省略其说明。在该例子中，如图10所示，例如在比输送口 15靠旋转台2的旋转方向R的上游侧 设有上述第二反应气体喷嘴32。在第二反应气体喷嘴32与该第二反应气体喷嘴32中的沿 旋转台2的旋转方向R的下游侧的分离区域D之间还设有用于对晶圆W进行等离子处理的 活化气体喷射器220。该活化气体喷射器220包括自旋转台2的外周侧朝向旋转中心侧地 与该旋转台2平行延伸的气体导入喷嘴34和一对鞘管(未图示)、以及在整个长度方向上 从上方侧覆盖配置有这些气体导入喷嘴34和一对鞘管的区域地设置的、与上述喷嘴罩120 同样结构的例如由石英构成的罩体221。图11中的附图标记222是被设定为与上述整流构 件121相同尺寸的气流限制面222，图12中的附图标记223是为了自真空容器1的顶板11 悬挂罩体221而沿着该罩体221的长度方向设置的支承体。另外，图10中的附图标记37 是连接于鞘管的基端部(即真空容器1的内壁侧)的保护管。在真空容器1的外部设有图10所示的高频电源180，其能够借助匹配器181对埋 设在鞘管内的未图示的电极供给例如13. 56MHz、例如1500W以下的高频电力。气体导入喷 嘴34将等离子体产生用的处理气体、例如NH3气体和吐气体中的至少一种从真空容器1的 外部，经由沿着长度方向形成在侧方侧的多个部位的气孔341朝向鞘管水平地喷出。在该第二实施方式中进行成膜处理的情况下，自各气体喷嘴31、32、41、42向真空 容器1内供给各气体，并自气体导入喷嘴34将等离子体生成用的处理气体、例如NH3气体 以规定的流量、例如5000sCCm供给到真空容器1中。另外，自未图示的高频电源对上述电 极供给规定值的电力、例如400W的高频电力。
在活化气体喷射器220中，自气体导入喷嘴34朝向上述鞘管喷出的NH3气体利用 供给到这些鞘管之间的高频被活化而成为离子等活性种，该活性种(等离子体)朝向下方 被喷出。如图13A及图1 所示，在表面形成吸附膜151、接着该吸附膜151被氮化而形成 TiN膜152的晶圆W到达活化气体喷射器220下方区域时，如图13C所示那样暴露在等离子 体中，例如在表面的TiN膜152中含有Cl(氯)等杂质的情况下，该杂质从膜中被排出。并 且，如图13D所示，之后，与上述第一实施方式同样地在该TiN膜152的上层侧迅速地层叠 下一层TiN膜153，从而限制下层侧的TiN膜152中的原子和分子的移动。通过这样将生成 吸附膜151、通过该吸附膜151氮化而生成TiN膜152、利用等离子体减少(或者除去)杂 质按照该顺序重复多次，能够迅速地形成杂质极少且表面平滑的薄膜。采用该第二实施方式，除了上述第一实施方式的效果之外还具有以下效果。S卩，由 于能够通过对晶圆W进行等离子处理来降低薄膜中的杂质的量，因此，能够提高电特性。另 外，由于每次在真空容器1的内部进行成膜循环时都进行改性处理，可以说在旋转台2的周 向上在晶圆W通过各处理区域91、92的路径的途中以不干涉成膜处理的方式进行改性处 理，因此，与例如在完成形成薄膜之后进行改性处理相比能够在短时间内进行改性处理。另外，在上述例子中，使旋转台2相对于气体供给系统(即喷嘴31、32、41、42)旋 转，但也可以使气体供给系统在周向上相对于旋转台2旋转。接着，对为了确认上述实施方式的成膜装置和成膜方法的效果而进行的实验进行 说明。实施例1首先，如下所示那样对旋转台2的转速进行各种变更来形成TiN膜，使用SEM(电 子显微镜)观察得到的TiN膜的表面。另外，在各实验例中使其他的成膜条件、例如反应气 体的供给量和处理压力等为相同的条件，因此省略说明。另外，晶圆W的加热温度为250°C 以上，例如为400°C。旋转台2的转速rpm比较例1 :30实施例1 :100或者MO实验结果如图14A 图14C中得到的实验结果的SEM照片所示，在比较例1中，如图14A所 示，能够确认表面状态粗糙，接近于使用以往的CVD法、SFD法来进行成膜的面状态。如上 所述，由于TiN膜在250°C以上结晶化，因此，在该实验中的加热温度并不妨碍TiN粒子结晶 化的情况下，这样由TiN粒子的结晶化引起的凹凸会出现在膜表面。另一方面，如实施例1所示，能够确认在将旋转台2的转速提高至IOOrpm的情况 下，如图14B所示，提高了 TiN膜的表面形态，在进一步设为MOrpm的情况下，如图14C所 示，表面极其平滑。因而，能够确认通过使旋转台2高速旋转，如上所述成膜循环之间的时 间缩短，能够利用上层侧的TiN膜抑制下层侧的TiN膜的结晶化。实验例2接着，使用AFM(原子间力显微镜)对在与实施例1相同的条件下形成的各样品测 定TiN膜的表面粗糙度。另外，测定长度为lOnm。其结果，如图15所示，能够确认在旋转台2的转速为30rpm的情况下，表面粗糙度
15为2nm左右，在其转速为IOOrpm以上的情况下，表面粗糙度为0. 5nm左右的较小的值。在上述实施方式的各例子中，在真空容器内利用含有Ti的第一反应气体和含有N 的第二反应气体在基板的表面形成氮化钛膜时，使用于载置基板的工作台与用于分别向工 作台上的基板供给上述两种反应气体的第一反应气体供给部件和第二反应气体供给部件 在真空容器的周向上以IOOrpm以上的转速相对旋转，交替地供给两种反应气体。因此，能 够高速地进行上述两种反应气体的供给循环，从而能够迅速地形成氮化钛膜。另外，由于能 够使两种反应气体的供给循环期间的时间极短，因此，在产生由生成于基板表面的反应生 成物的结晶化引起的粒径粗大化之前，在上层侧层叠下一反应生成物的层，可以说能够利 用上层侧的反应生成物限制下层侧的反应生成物中的原子和分子的迁移(移动)。结果，能 够得到表面形态良好(表面形状平滑)的氮化钛膜。以上，说明了本发明的优选实施方式，但本发明并不限定于该特定的实施方式，能 够在权利要求书中记载的本发明的主旨的范围内进行各种变形、变更。本申请以2009年12月25日在日本特许厅提出申请的特愿2009-295351为基础， 要求该申请的优先权，该申请的全部内容以引用的方式纳入本申请。
权利要求
1.一种成膜装置，其中， 该成膜装置包括工作台，其设置在真空容器内，其设有用于载置基板的基板载置区域； 第一反应气体供给装置和第二反应气体供给装置，该第一反应气体供给装置和第二反 应气体供给装置在上述真空容器的周向上互相分开地设置，用于分别向上述工作台上的基 板供给含有Ti的第一反应气体和含有N的第二反应气体；分离区域，其设置在被供给上述第一反应气体的第一处理区域和被供给上述第二反应 气体的第二处理区域之间，用于将两种反应气体分离；旋转机构，其使上述第一反应气体供给装置和上述第二反应气体供给装置与上述工作 台在上述真空容器的周向上相对旋转，从而使上述基板按上述第一处理区域、上述第二处 理区域这样的顺序位于上述第一处理区域和上述第二处理区域； 真空排气装置，其用于对上述真空容器进行真空排气；控制部，在对上述基板进行成膜时，其进行如下控制利用上述旋转机构使上述第一反 应气体供给装置和上述第二反应气体供给装置与上述工作台以IOOrpm以上的转速旋转；在上述真空容器内按顺序向上述基板的表面供给上述第一反应气体和上述第二反应 气体而形成氮化钛膜。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，该成膜装置还包括活化气体喷射器，其用于向上述工作台上的基板供给NH3气体或H2 气体中的至少一种气体的等离子体；上述活化气体喷射器在上述旋转机构的作用下与上述第一反应气体供给装置和上述 第二反应气体供给装置一同相对于上述工作台进行相对旋转，在上述相对旋转时，在上述 第二处理区域与上述第一处理区域之间向上述基板供给上述等离子体。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，上述分离区域包括用于供给分离气体的分离气体供给装置。
4.根据权利要求3所述的成膜装置，其中，上述分离区域包括上述分离气体供给装置和顶面，该顶面用于在其与上述工作台之间 形成位于上述分离气体供给装置的上述周向两侧的、用于供分离气体从该分离区域流到处 理区域侧的狭窄的空间。
5.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，上述第一反应气体供给装置和上述第二反应气体供给装置自上述第一处理区域和上 述第二处理区域中的各顶面分开地分别设置在上述基板附近，分别朝向上述基板的方向供 给上述第一反应气体和上述第二反应气体。
6.一种成膜方法，该成膜方法在真空容器内按顺序向基板的表面供给含有Ti的第一 反应气体和含有N的第二反应气体而形成氮化钛膜，其中，包括以下工序自第一反应气体供给装置和第二反应气体供给装置分别向工作台的表面分别供给上 述第一反应气体和上述第二反应气体，该第一反应气体供给装置和第二反应气体供给装置 在上述真空容器的周向上互相分开地设置，该工作台设有用于载置上述基板的基板载置区 域；在设于被供给上述第一反应气体的第一处理区域与被供给上述第二反应气体的第二 处理区域之间的分离区域中将两种反应气体分离；使上述第一反应气体供给装置和上述第二反应气体供给装置与上述工作台在上述真 空容器的周向上以IOOrpm以上的转速相对旋转，从而使上述基板按上述第一处理区域、上 述第二处理区域这样的顺序位于上述第一处理区域和上述第二处理区域；对上述真空容器内进行真空排气。
7.根据权利要求6所述的成膜方法，其中，还包括自活化气体喷射器向上述工作台上的基板供给NH3气体或H2气体中的至少一种 气体的等离子体的工序；在上述使第一反应气体供给装置和第二反应气体供给装置与上述工作台相对旋转的 工序中，使上述活化气体喷射器与上述第一反应气体供给装置和上述第二反应气体供给装 置一同相对于上述工作台进行相对旋转，从而在上述相对旋转时在上述第二处理区域与上 述第一处理区域之间向上述基板供给上述等离子体。
8.根据权利要求7所述的成膜方法，其中，在将上述两种气体分离的工序中，自分离气体供给装置向上述分离区域供给分离气体。
9.根据权利要求8所述的成膜方法，其中，上述分离气体自上述分离气体供给装置供给至位于上述分离气体供给装置的上述周 向两侧的、供分离气体从上述分离区域流到处理区域侧而形成在上述工作台与上述真空容 器的顶面之间的狭窄的空间。
10.根据权利要求6所述的成膜方法，其中，在供给上述第一反应气体和上述第二反应气体的工序中，从自上述第一处理区域和上 述第二处理区域中的各顶面分开地分别设置在上述基板附近的上述第一反应气体供给装 置和上述第二反应气体供给装置分别朝向上述基板的方向供给上述第一反应气体和上述 第二反应气体。
全文摘要
本发明提供成膜装置及成膜方法。该成膜装置在进行氮化钛膜的成膜处理时，通过使旋转台与各气体喷嘴以100rpm以上的转速相对旋转，使反应气体的供给循环或反应生成物的成膜循环高速化来形成薄膜。在产生因生成于基板表面的反应生成物的结晶化而引起的粒径粗大化之前，在上层侧层叠下一反应生成物的层而形成平滑的表面。
文档编号C30B25/14GK102108496SQ20101062181
公开日2011年6月29日 申请日期2010年12月24日 优先权日2009年12月25日
发明者加藤寿, 尾谷宗之, 成岛健索, 熊谷武司, 织户康一, 菊地宏之, 西森崇 申请人:东京毅力科创株式会社