技术编号：8154653
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于真空微电子技术和纳米技术的交叉领域，具体涉及到利用静电场和荷电碳纳米管自身电荷分布将碳纳米管定向移植在衬底表面，形成至少具有一个跃变势垒或表面势垒的场发射阴极的制备方法，特别涉及。背景技术 目前碳纳米管场发射显示器阴极制备技术主要有丝网印刷技术和直接生长技术两大派别。丝网印刷法具有操作简单的优点，但在制造高分辨率显示平板方面受到限制。该法通常是将碳纳米管与制浆材料混合，制成可用丝网漏印的浆料，然后印制到衬底上。经过退火焙烧去除大部分制浆材料，从而制得碳纳米管阴极薄膜。这种方法所得的碳纳米管薄膜阴极...
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