技术编号：8155715
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及光电材料和器件领域，具体涉及ー种通过机械去除法制备氮化镓单晶衬底的方法。背景技术氮化镓GaN基Iirv族氮化物是重要的直接带隙的宽禁带半导体材料，在蓝、緑、紫、紫外光及白光发光二极管LED、短波长激光二极管LD、紫外光探測器和功率电子器件等光电子器件和电子器件以及特殊条件下的半导体器件等领域中有广泛的应用前景。由于极高的熔解温度和较高的氮气饱和蒸气压，使得制备大面积GaN单晶非常困难，不得不在大失配的蓝宝石或碳化硅等衬底上异质外延生长GaN基器件。虽然这种基于缓冲层技术的异质外延技术取得了巨大的成...
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