技术编号:8191741
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。优化硅膜厚度均匀性的模具形状相关申请交叉参考本申请根据35U. S.C. §120要求2010年7月27日提交的美国申请序列第 12/844305号的优先权,以其内容为基础并通过参考全文结合于此。发明领域本发明涉及制造半导体材料制品的方法,更具体涉及在成形模具的外表面上形成半导体材料制品的外铸形方法。技术背景半导体材料用于许多应用中,例如可结合到电子器件如光伏器件中。光伏器件通过光伏效应将光辐射转化成电能。半导体材料的性质可取决于多种因素,包括晶体结构、固有缺陷的浓度和种类,以及掺杂剂和其他杂质的存在和分布。在半导...
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