技术编号：8197952
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及碳质坩埚的保护方法以及单晶拉制(引^上W)装置，更 具体而言，涉及具有石英坩埚和内插该石英坩埚的碳质柑埚的坩埚装置， 特别涉及保护单晶拉制用熔化坩埚装置的碳质坩埚的方法以及使用了该 保护方法的单晶拉制装置。背景技术以往具有石墨坩埚和石英坩埚的柑埚装置作为代表性地作为单晶拉 制熔化坩埚装置而被使用。在该半导体制造工序中，作为代表性的单晶拉制装置，已知有根据切克劳斯基单晶生长法(以下，称为"cz法")而制 成的单晶拉制装置(以下，称为"cz装置")。在根据该cz法而制成的单晶拉制装置中，由于石墨坩埚和...
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