技术编号：8198750
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及生长结晶性良好的大型AlxGai_xN(0 < χ彡1，以下同)单晶的方法，所 述单晶有利地用于半导体衬底等中。背景技术AlxGai_xN单晶和其它III族氮化物晶体作为形成光电子器件、微电子器件、半导体 传感器等半导体器件的材料非常有用。作为用以生产这类AlxGai_xN单晶的方法，从获得在χ射线衍射摇摆曲线中具有窄 的衍射峰半宽度的高品质单晶的观点来看，已经提出气相沉积法，特别是升华生长法。例 如，在美国专利第5，858，086号(专利文献1)的说明书中，公开了通过升华等的气相沉积 技术...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。