技术编号:8200380
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及直拉法生长N型硅单晶的工艺,特别是一种晶体整体(含表面)少子 寿命大于等于1000微秒的N型太阳能单晶生长工艺,在晶体生长工艺中提高N型硅单晶的 少子寿命,使其远高于普通方法制得的N型硅单晶。背景技术半导体工业所用的硅单晶,几乎90X是用CZ法生长的。常规方法制得的N型 硅单晶,头尾表皮寿命不能达到1000 ii s(多数介于900 20ii s之间,以BCT 300 型Sintonconsulting lifetime tester测试),其头尾截面寿命也不能全部达到高于 1000 iis。通常...
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