专利名称:少子寿命大于等于1000微秒的n型太阳能硅单晶生长工艺的制作方法
技术领域:
本发明涉及直拉法生长N型硅单晶的工艺,特别是一种晶体整体(含表面)少子 寿命大于等于1000微秒的N型太阳能单晶生长工艺,在晶体生长工艺中提高N型硅单晶的 少子寿命,使其远高于普通方法制得的N型硅单晶。
背景技术:
半导体工业所用的硅单晶,几乎90X是用CZ法生长的。常规方法制得的N型 硅单晶,头尾表皮寿命不能达到1000 ii s(多数介于900 20ii s之间,以BCT 300 型Sintonconsulting lifetime tester测试),其头尾截面寿命也不能全部达到高于 1000 iis。通常截面寿命中心高,边缘很低,达20 5ii s(目前国内外测量方法实际报测值 为中心寿命值)。硅单晶寿命与电池转换效率是强烈对应的正比关系。晶硅太阳能电池片 的转换效率为截面效率积分的平均值,因此仅中心高而边缘低不足以提高整片电池的转换 效率,为进一步提高转换效率必须使截面少子寿命全面提高。 国内外未见有关于直拉法生长N型高寿命(表皮及截面少数载流子寿命高于 1000 ii s)硅单晶的报道。
发明内容
本发明的目的是提供一种少子寿命大于等于1000微秒的N型太阳能硅单晶生长 工艺,采用直拉法生长N型高寿命硅单晶,可以解决N型直拉硅单晶寿命低的难题。本发明 晶体生长方法实用、效率高、成本低,能够以CZ法制得N型的太阳能级硅单晶,能满足高效 太阳能电池的要求。 本发明提供的直拉法生长N型高寿命硅单晶棒〈100>晶向、电阻率范围为1 20 Q cm、表皮及截面少数载流子寿命^ 1000 iis。间隙氧含量为[Oi]《17. 5ppma,替位 碳含量为[Cs]《0. 5ppma ;外型6 8英寸。 本发明提供的直拉法生长N型高寿命硅单晶棒生长工艺是以磷掺杂的块状多晶 硅为原料按下述的具体工艺步骤,包括在单晶炉中装料,将掺杂剂放置在石英埚内多晶硅 原料的以下部位(lOmm),程序升温稳态加热化料,待熔硅内部热场稳定后,开始进行加热、 引径、转肩、等径、提单晶尾部至导流筒上沿,停止加热、冷却。工艺参数
拉速为0. 1 10mm/分钟,细径长度大于100mm小于160mm ;转肩拉速0. 5 3. 1mm/分钟,等径过程控制炉室压力为1200 2800Pa、晶转为1 8转/分、埚转0. 5 7转/分钟,冷却时间不大于3小时。 本发明提供的少子寿命大于等于IOOO微秒的N型太阳能单晶生长工艺具体步骤 包括 1)抽真空,保证真空泄漏率《1/4Pa/分钟,装料,将大块多晶硅贴近石英坩埚小 块多晶放于中心并将掺杂剂放至石英埚内多晶硅原料的10mm以下部位,充入氩气,抽真空 并充氩气至炉压1200Pa 2800Pa ;
2)中低埚位化料,程序升温至1420°C 1500°C ;升温速率为约10°C /分钟;
3)30 35分钟后,以拉速O. 1 10mm/分钟引细径,细径长度大于100mm小于 160mm 54)转肩拉速,转肩拉速0. 5 3. 1mm/分钟,转肩1/2后拉速调至1. 2mm/分钟; 5)等径过程控制炉室压力为1200 2800Pa、晶转为1 8转/分、埚转0. 5 7
转/分钟,收尾停加热,提单晶尾部至导流筒上沿,冷却时间3小时以内。 本发明提供了少子寿命大于等于1000微秒的N型太阳能单晶生长工艺,可以解决
直拉单晶寿命低的难题。本发明晶体生长方法实用、效率高、成本低,能够以CZ法制得N型、
〈100〉晶向、电阻率范围为1 20Q 'cm、表皮及截面少数载流子寿命^ 1000 ii s的太阳能
级硅单晶,能满足高效太阳能电池的要求。
图1是直拉单晶炉热系统装置示意图。
图2少子寿命测试过程与结果。 图3本发明所得6英寸单晶与常规方法单晶少子寿命对比。
图4本发明所得8英寸单晶与常规方法单晶少子寿命对比。
图5本发明使用的单晶硅炉的导流筒示意图,(m)导流筒a, (n)导流筒b。
具体实施例方式
实施例1 依本发明制作6英寸单晶 本发明使用太阳能用四级的块状多晶硅(市售),磷掺杂剂(颗粒状低阻磷单晶, 直拉法生长的低电阻率单晶,在室温下,电阻率为0.001 0.005Q ,cm)。电阻率测定设备 为广州半导体所生产的HDY 4型四探针测试仪。 本发明使用的单晶硅炉的结构如图1所示,1 提拉;2 籽晶;3 成品单晶;4 导流筒a ;5 石英坩埚;6 石墨坩埚;7 导流筒b ;8 熔融硅;9 加热器;10 埚杆;
11 排气孔;12 上盖;13 成型毡;14 保温筒;15 保温毡。其中,4 导流筒a、7 导流筒b、ll 排气孔与已公开的常规设备不同,导流筒采用分级(2级)定位式,排气孔均 匀分布于下炉筒两侧,见图5。 本发明提供的晶体表面少子寿命大于等于1000微秒的N型太阳能单晶生长工艺 主要包括装料、加热、拉晶等步骤 第一步按常规方法将单晶炉清炉,抽真空,真空泄漏率小于等于1/4Pa/分钟,开 炉、装料(60公斤多晶硅和3. 1克0. 001 0. 005 Q cm的掺杂剂),并将掺杂剂放至石英 埚内(多晶硅原料的10mm以下部位),充氩气至炉压2000Pa。 第二步低埚位化料,埚转为1转/分钟,程序升温至1420°C 1500°C ;升温速率 为约l(TC /分钟,待确认化料完毕后,将埚转速率调至2转/分钟。 第三步化料完毕,降温至液面过冷,待熔硅温度稳定30分钟后,开始下降引细 径,此时晶转速率调至2转,浸熔30分钟后提拉,拉速为2. 5mm/分钟,细径长度大于100mm 小于160mm,细径直径为3mm 5mm。
第四步转肩拉速2. 4mm/分钟,转肩1/2后拉速调至1. 2mm/分钟。
第五步等径生长,炉压调至2500Pa,拉速0. 9mm/分钟,氩气流速调至20 100L/ h,晶转在1 8转/分钟内调节,埚转在0. 5 7转/分钟,收尾停加热,提单晶尾部至导 流筒上沿,冷却时间3小时以内。 实施例得到的硅单晶用YX H8型X射线定向仪测试晶向;用SDY 4型四探针测 试仪测量电阻率;用Nicolet 6700型FTIR测试氧碳含量;BCT 300型Sinton consulting lifetimetester测试少数载流子寿命;
具有代表性实验测定结果实例之一 投料量60公斤的①18〃热场装置下生长的①6〃 , N型〈100〉晶向,硅单晶棒的 电阻率,头部P《20Q 'cm,尾部P > 1Q *Cm。间隙氧含量为
《17.5卯ma,替位碳 含量为[Cs]《0. 5ppma,非平衡少子寿命t > 1000 y s。 少子寿命测试结果如图2所示(a)是少子寿命测试条件,(b)是少子寿命测试结 果;本发明与常规工艺(直拉硅行业常用工艺)制得单晶寿命对比详见图3, (a)6英寸是整 根单晶表皮寿命对比,(b)是6英寸单晶头部样片中心到边缘寿命对比,(c)是6英寸单晶 尾部样片中心到边缘寿命对比。
实施例2 具有代表性实验测定结果实例之二 以相同的工艺条件制得①8〃单晶。
投料量90公斤的①20〃热场装置下生长的①8〃 , N型〈100〉晶向,硅单晶棒的 电阻率,头部P《20Q 'cm,尾部P > 1Q 'cm。间隙氧含量为[Oi]《17.5卯ma,替位碳 含量为[Cs]《0. 5ppma,非平衡少子寿命t > 1000 y s。 少子寿命测试结果如图2所示(a)是少子寿命测试条件,(b)是少子寿命测试结 果;本发明与常规工艺(直拉硅行业常用工艺)制得①8〃单晶寿命对比详见图4, (a)是8 英寸整根单晶表皮寿命对比,(b)是8英寸单晶头部样片中心到边缘寿命对比,(c)是8英 寸单晶尾部样片中心到边缘寿命对比。
权利要求
一种直拉法生长N型高寿命硅单晶棒,其特征在于<100>晶向、电阻率范围为1~20Ω·cm、表皮及截面少数载流子寿命≥1000μs,间隙氧含量为[Oi]≤17.5ppma,替位碳含量为[Cs]≤0.5ppma。
2. 按照权利要求1所述的直拉法生长N型高寿命硅单晶棒,其特征在于它的外型为 6 8英寸。
3. 权利要求1所述的直拉法生长N型高寿命硅单晶棒的生长工艺,其特征在于它是 以磷掺杂的块状多晶硅为原料,按下述的具体工艺步骤,在单晶炉中装料,将掺杂剂放置在 石英埚内多晶硅原料的以下部位,程序升温稳态加热化料,待熔硅内部热场稳定后,开始进 行加热、引径、转肩、等径、晶转、埚转、提单晶尾部至导流筒上沿,停止加热、冷却。
4. 按照权利要求3所述的生长工艺,其特征在于所述的掺杂剂放至石英埚内多晶硅 原料的10mm以下部位。
5. 按照权利要求3所述的生长工艺,其特征在于工艺参数为拉速为O. 1 10mm/分 钟,细径长度大于100mm小于160mm ;转肩拉速0. 5 3. lmm/分钟,等径过程控制炉室压力 为1200 2800Pa,晶转为1 8转/分,埚转0. 5 7转/分钟,冷却时间不大于3小时。
6. 按照权利要求3所述的生长工艺,其特征在于磷掺杂剂电阻率为0.001 0. 005 Q cm。
7. —种少子寿命大于等于1000微秒的N型太阳能单晶生长工艺,其特征在于它是经过 下述步骤1) 抽真空,保证真空泄漏率《1/4Pa/分钟,装料,将大块多晶硅贴近石英坩埚小块多 晶放于中心并将掺杂剂放至石英埚内多晶硅原料的10mm以下部位,充入氩气,抽真空并充 氩气至炉压1200Pa 2800Pa ;2) 中低埚位化料,程序升温至1420°C 1500°C ;3) 30 35分钟后,以拉速O. 1 10mm/分钟引细径,细径长度大于100mm小于160mm ;4) 转肩拉速,转肩拉速0. 5 3. lmm/分钟,转肩1/2后拉速调至1. 2mm/分钟;5) 等径过程控制炉室压力为1200 2800Pa,晶转为1 8转/分,埚转0. 5 7转/ 分钟,收尾停加热,提单晶尾部至导流筒上沿,冷却时间3小时以内。
8. 按照权利要求7所述的生长工艺,其特征在于步骤2)中所述的升温速率为l(TC / 分钟。
9. 按照权利要求7所述的生长工艺,其特征在于磷掺杂剂电阻率为0.001 0. 005 Q cm。
全文摘要
本发明涉及一种少子寿命大于等于1000微秒的N型太阳能硅单晶生长工艺。外型6~8英寸,<100>晶向、电阻率范围为1~20Ω·cm、表皮及截面少数载流子寿命≥1000μs,间隙氧含量为[Oi]≤17.5ppma,替位碳含量为[Cs]≤0.5ppma。以磷掺杂的块状多晶硅为原料制备,包括装料、加热、引径、等径、收尾、冷却,程序升温稳态加热化料,待熔硅内部热场稳定后,开始引细径,提单晶尾部至导流筒上沿,冷却时间不大于3小时。本发明晶体生长方法实用、效率高、成本低,能够以CZ法制得N型单晶硅从头部至尾部完全大于等于1000微秒,为高效太阳能电池的提高效率创造了工业化的基础。
文档编号C30B15/00GK101724899SQ20091007037
公开日2010年6月9日 申请日期2009年9月8日 优先权日2009年9月8日
发明者任丙彦, 任丽 申请人:任丙彦;任丽