技术编号：8201350
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域背景技术从比电阻和经济性的角度考虑，铜(Cu)已经被用于电气设备 和部件之间以及上层与下层之间的电连接。才艮据通过实-验所获得的 结果，当实施的电路线路空间的横截面积小于块状金属中电子的平 均自由程(MFP)时，已知相比于金属本身所具有的比电阻，电路 中的比电阻的增加更为显著。铜的MFP为40nm。因此，当实施了才黄截面积小于该^f直的电^各 时，铜的原始比电阻特性并不是所希望的。^4居文献，这种情况的 发生是由于电子表面散射和晶界散射。即，因为诸如铜的金属导电 浆料不能够容易地施加至精细电路，所以增加了对...
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