技术编号：8202855

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技术领域本发明涉及使用ZnO(氧化锌)的。 背景技术—般通过使用a-Si(非晶硅)或poly-Si(多晶硅)形成用于液晶显示器或EL(电 致发光)显示器的显示面板的半导体器件，例如TFT(薄膜晶体管)的半导体部分半导体器 件。 Si (硅)不具有大的带隙(例如，单晶硅为1. leV)并且吸收可见光。通过用光照 射，在Si中形成电子和空穴(载流子)。如果形成Si膜用于TFF的沟道形成区域，那么即 使在OFF状态下也会通过用光照射在沟道形成区域中产生载流子。于是，电流从而在源极 区和漏极区之间流动。在OFF状态中流动的...
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