技术编号：82056
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜的制备方法。 本发明还涉及利用上述薄膜制备铜铟硫光伏电池的方法。 背景技术II-VI族半导体薄膜，如ZnS、Cu2S、CdS、CdTe、CuInS2等，广泛应用于光伏电池等半导体光电功能器件中。例如，ZnS是重要的光伏电池窗口层，Cu2S可以作为光伏电池吸收层，CdS-ZnS复合薄膜可以作为光伏电池窗口层，CdS-CdTe复合薄膜可以构成n-p结，CuInS2是目前最有发展前途的光伏电池吸收层材料之一。半导体薄膜的制备技术决定了半导体器件的成本及其能否广...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。