技术编号：8218973
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 随着微电子技术的发展和生产水平的提高，半导体分立功率器件的PN结等表面 态都由LPCVD来得到，而LPCVD沉积的薄膜质量的好差至关重要，薄膜的成分、成分比例W 及均匀性都影响着产品最终的参数，因此得到质量较高的薄膜成为首要的选择，因此该对 LPCVD的炉温突出了更高的要求，而LPCVD电加热炉关键指标就是炉温恒定，当气体通入 时候，炉温会下降，造成与PN结接触的初始沉积薄膜就不合格；目前，温度领域还大量采用 PID控制方式，它通过调节输出功率来控制温度...
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