Lpcvd初始沉积的炉温的精确控制方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于LPCVD沉积技术领域，特别设及一种LPCVD沉积炉的初始沉积的炉温 控制方法。
【背景技术】
[0002] 随着微电子技术的发展和生产水平的提高，半导体分立功率器件的PN结等表面 态都由LPCVD来得到，而LPCVD沉积的薄膜质量的好差至关重要，薄膜的成分、成分比例W 及均匀性都影响着产品最终的参数，因此得到质量较高的薄膜成为首要的选择，因此该对 LPCVD的炉温突出了更高的要求，而LPCVD电加热炉关键指标就是炉温恒定，当气体通入 时候，炉温会下降，造成与PN结接触的初始沉积薄膜就不合格；目前，温度领域还大量采用 PID控制方式，它通过调节输出功率来控制温度。温度控制过程具有比较典型的非线性、滞 后性，由于滞后往往使扰动不能及时觉察，调节效果不能适时反映，从而产生较大的超调或 振荡；该使得沉积的薄膜有一定的缺陷，因此有必要对炉温的精确控制加W改进。
【发明内容】
[0003] 本发明所要解决的技术问题是提供一种在通入气体时避免炉温波动的LPCVD初 始沉积的炉温的精确控制方法，W克服现有技术存在的不足。
[0004] 为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
[0005] 一种LPCVD初始沉积的炉温的精确控制方法，其特征在于，包含如下步骤：
[0006] S1、按照不同的蝶阀开启角度、累抽速的大小、不同的工艺气体的流量测定炉温波 动量的值和时间，依据控制精度确定细分级数，计算出不同的工艺气体流量和不同的真空 度下所对应的前馈加热电流值和前馈时间；
[0007] S2、将由气体流量、真空度、对应的前馈加热电流值、前馈时间构成的四维映射表 输入计算机中；
[000引 S3、生产中依据所需的工艺条件设定气体流量、真空度后，由计算机控制LPCVD炉 按照前馈加热电流值和前馈时间进行前馈加热
[0009] S4、前馈加热完成后，按照工艺条件向炉内通入气体。
[0010] 本发明采用上述技术方案，在通入气体时候，依据通入气体的流量和真空度，预测 出温度下降的幅度和炉体加温到恒定温度的时间进行前馈加热，该样就能保证在气体通入 时炉温恒定，没有波动；并能够精准、实时控制LPCVD炉温度，实现稳定控制LPCVD炉炉温， 避免了炉温的波动，实现LPCVD炉的稳定运行，从而保证了LPCVD初始沉积膜的一致性。
【附图说明】
[0011] 下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行详细说明：
[0012] 图1为本发明的流程示意图；
【具体实施方式】
[0013] 如图1所示，本发明的LPCVD初始沉积的炉温的精确控制方法，包含如下步骤：
[0014]S1、按照不同的蝶阀开启角度、累抽速的大小、不同的工艺气体的流量测定炉温波 动量的值和时间，依据控制精度确定细分级数，计算出不同的工艺气体流量和不同的真空 度下所对应的前馈加热电流值和前馈时间，如下表所示：
【主权项】
1. 一种LPCVD初始沉积的炉温的精确控制方法，其特征在于，包含如下步骤： 51、 按照不同的蝶阀开启角度、累抽速的大小、不同的工艺气体的流量测定炉温波动量 的值和时间，依据控制精度确定细分级数，计算出不同的工艺气体流量和不同的真空度下 所对应的前馈加热电流值和前馈时间； 52、 将由气体流量、真空度、对应的前馈加热电流值、前馈时间构成的四维映射表输入 计算机中； 53、 生产中依据所需的工艺条件设定气体流量、真空度后，由计算机控制LPCVD炉按照 前馈加热电流值和前馈时间进行前馈加热 54、 前馈加热完成后，按照工艺条件向炉内通入气体。
【专利摘要】本发明公开一种LPCVD初始沉积的炉温的精确控制方法，在通入气体时候，依据通入气体的流量和真空度，预测出温度下降的幅度和炉体加温到恒定温度的时间进行前馈加热，这样就能保证在气体通入时炉温恒定，没有波动；并能够精准、实时控制LPCVD炉温度，实现稳定控制LPCVD炉炉温，避免了炉温的波动，实现LPCVD炉的稳定运行，从而保证了LPCVD初始沉积膜的一致性。
【IPC分类】C23C16-52
【公开号】CN104532212
【申请号】CN201510005536
【发明人】丁波, 李轶, 陈瀚, 侯金松
【申请人】上海微世半导体有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2015年1月5日