技术编号：8248156
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。作为用于形成氮化物基半导体器件的衬底，经常使用蓝宝石衬底。然而，蓝宝石衬底通常是昂贵的而且具有高硬度，它们通常不适合芯片制造。蓝宝石衬底一般也具有低电导率。在大尺寸蓝宝石衬底的外延生长中，由于蓝宝石的低热导率，衬底在高温下弯曲。因此，难以制造大面积的蓝宝石衬底。为了克服这样的局限，已经开发了使用硅衬底代替蓝宝石衬底的氮化物基半导体器件。硅衬底由于具有比蓝宝石衬底高的热导率，即使在生长氮化物薄膜所需的高温下也不需要弯曲得如蓝宝石衬底那么多。于是，用硅衬底生长...
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