技术编号:8261392
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。快闪存储器(Flash Memory)不断地朝着高集成度和高容量存储单元的方向发展,制作过程引入缺陷的概率也随之提升。现阶段,对NOR型快闪存储器的可靠性测试失效统计发现,造成早期失效问题(主要会出现在10次以内的擦除/编程循环)的最主要缺陷因素是层间介质(ILD loop)的缺陷。然而,现有的晶圆测试项目中,缺乏有效的对层间介质区域缺陷的筛除,层间介质区域缺陷会导致后续使用过程中位线(BL)通孔到控制栅极间的烧坏,影响NOR型快闪存储器的可靠性。而如果在...
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