技术编号:8262146
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种MOSFET结构及其制造方法。更具体而言,涉及一种用于降低关态漏电流的MOSFET结构及其制造方法。技术背景在MOSFET结构中,为了增强栅对沟道的控制能力,更好的抑制短沟道效应,希望沟道部分越窄越好。然而,在沟道厚度小于1nm以后,由于载流子迁移率随着沟道厚度的减小而降低,器件性能会受到较严重的影响,特别地,在靠近源端的沟道部分所受影响尤为严重,而在漏端,由于高场饱和作用的影响,沟道宽度对迁移率的影响不起主要作用。漏端感应势鱼降低效应(Dr...
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