技术编号:8262155
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件制造方法,具体地,涉及。技术背景随着半导体器件的尺寸按比例缩小,出现了阈值电压随沟道长度减小而下降的问题,也即,在半导体器件中产生了短沟道效应。为了应对来自半导体涉及和制造方面的挑战,导致了鳍片场效应晶体管,即FinFET的发展。已经认识到,在FinFET结构中,为了增强栅对沟道的控制能力,更好的抑制短沟道效应,希望Fin沟道部分越窄越好。然而在源/漏区,过窄的Fin结构将会导致大的寄生电阻,影响器件特性。为了减小源漏区寄生电阻,现...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。