技术编号：8263693
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。某些电子系统可能被暴露于瞬态电事件，或持续时间短的、具有快速变化的电压和高功率的电信号。瞬态电事件可包括，例如，朝电子系统的、从一个物体或人的突然释放电荷所产生的静电放电(ESD)事件。由于过电压条件与集成电路(ICs)相对小的区域内的高功耗，瞬态电事件能够破坏集成电路(ICs)。瞬态电事件可以提高集成电路的温度，并且可导致许多问题，如栅极氧化物击穿、结损伤、金属损害、和表面电荷累积。瞬态电事件在多种应用中将成为问题，包括，例如，在高性能的射频(RF)电路...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。