技术编号：8278032
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种制造方法，具体地，涉及一种碳化硅皇晶层的制造方法。背景技术 在功率元器件的发展中，主要半导体材料当然还是硅（Si)。在功率元器件领域中， 通过微细化可以改善的性能仅限于100V以下的低耐压范围，在需要更高耐压的领域仅采 用微细加工无法改善性能，因此，就需要在结构上下工夫。 低导通电阻是一个重要的特性，然而栅极电荷量与耐压在本质上存在权衡取舍的 关系。 作为解决这个问题的手法，还通过变更材料来提高性能，就是使用了碳化硅（SiC) 和GaN这类...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。