碳化硅垒晶层的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种制造方法，具体地，涉及一种碳化硅皇晶层的制造方法。
【背景技术】
[0002] 在功率元器件的发展中，主要半导体材料当然还是硅（Si)。在功率元器件领域中， 通过微细化可以改善的性能仅限于100V以下的低耐压范围，在需要更高耐压的领域仅采 用微细加工无法改善性能，因此，就需要在结构上下工夫。
[0003] 低导通电阻是一个重要的特性，然而栅极电荷量与耐压在本质上存在权衡取舍的 关系。
[0004] 作为解决这个问题的手法，还通过变更材料来提高性能，就是使用了碳化硅（SiC) 和GaN这类宽禁带（WBG)半导体的功率元器件。WBG材料的最大特点如表1所示，其绝缘击 穿电场强度较高。只要利用这个性质，就可提高与Si元件相同结构时的耐压性能。
[0005] 表 1
[0006]
【主权项】
1. 一种碳化硅皇晶层的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤： 步骤一，在原本的硅晶圆制程上先以植入晶种方式进行拉晶； 步骤二，成长一个含有氮化硅铝或多晶层的缓冲层或微量的碳化硅晶种，以改变晶圆 表面的晶格长度； 步骤三，先以微量成长碳化硅； 步骤四，利用不同温度、不同压力交错进行不同特性程度的碳化硅生长； 步骤五，退火。
2. 根据权利要求1所述的碳化硅皇晶层的制造方法，其特征在于，所述步骤一在硅晶 圆制程中加入碳、锗、硼以改变其分子键结、密度以帮助后续碳化硅成长。
【专利摘要】本发明提供了一种碳化硅垒晶层的制造方法，其包括以下步骤：步骤一，在原本的硅晶圆制程上先以植入晶种方式进行拉晶；步骤二，成长一个含有氮化硅铝或多晶层的缓冲层或微量的碳化硅晶种，以改变晶圆表面的晶格长度；步骤三，先以微量成长碳化硅；步骤四，利用不同温度、不同压力交错进行不同特性程度的碳化硅生长；步骤五，退火。本发明以硅晶圆为底材，降低成本。
【IPC分类】C30B15-00, C30B29-36
【公开号】CN104593865
【申请号】CN201410825914
【发明人】廖奇泊, 周雯
【申请人】廖奇泊, 周雯
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年12月25日