技术编号:8283904
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着微电子技术和电力电子技术的不断发展,实际应用对器件在高温、高功率、高频等条件下工作的性能要求越来越高,Si代表的第一代半导体材料和以GaAs为代表的第二代半导体材料在这些方面的应用已出现瓶颈。碳化硅(SiC)材料,作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表之一,其禁带宽度大、临界击穿电场高,且具有高热导率、高电子饱和速率及高的抗辐照等性能,成为制造高温、高功率、高频、及抗辐照器件的主要半导体材料之一,因此目前对于SiC材料、器件和工艺等方面的研宄成为微电子的...
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