技术编号:8286024
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。[000引 在 MOS阳T (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物 半导体场效应晶体管)等半导体装置中,能够将内置二极管用作回流二极管,提出了作为 回流二极管而内置并利用肖特基势垒二极管的方法(例如参照专利文献1)。[000引在例如M0S阳T等半导体装置的构造上内置了 pn二极管的情况下,产生在使用内 置了的肖特基势垒二极管时,如果pn二极管进行动作,则恢复损失变大等问题,所W期望 ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。