技术编号：8298395
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在大规模集成电路制造过程中，已经使用许多光刻胶剥离液作为生产线上的清洁 齐IJ。在制造过程中光刻胶薄膜经高温烘烤，沉积在晶片衬底上，然后再经过曝光显影成像为 电路图案。在蚀刻工艺后，未曝光的光刻胶必须从晶片保护区除去，从而可以进行后道工序 的操作。在制造工艺中，由于要求光刻胶和衬底有较好的粘附性，通常进行高温烘烤，这样 使得去除残余的光刻胶剥离液的难度变大，同时存在金属布线腐蚀的问题。一般的常规水系剥离液中含有的碱为无机碱溶液，如NaOH、K0H的2?6...
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