技术编号：8300379
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。金属氧化物半导体器件(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor, CMOS)的性能主要可通过提高CMOS的栅电容、提高载流子迁移率或者以及减小器件沟道长度三种途径提升。传统的提升方法都在于减小沟道长度以及栅介电层的厚度，这种方法被称为晶体管的尺寸缩小法。然而在CMOS器件尺寸减小的今天，单纯缩小尺寸已受到物理极限以及设备成本的限制而无法使器件达到预期性能，提高沟道载流子迁移率成为进一步提高器件工作速度的主要途径之一。应变...
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