技术编号:8300424
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。氮化镓半导体器件具有禁带宽度大、电子迀移率高、击穿场强高、耐高温等显著优点,适合制作高温、高压、高频和大功率的电子器件,具有广阔的应用前景。请参见图1,图1示出了现有技术中氮化镓半导体器件的俯视示意图,所示氮化镓半导体器件包括有源区a和无源区b,有源区a为封闭形式,有源区a之外的区域为无源区b,位于有源区a内的源极11、漏极12和栅极13在器件宽度方向上重复排列组成整体插指状结构,整个半导体器件呈长方形,漏极14通过位于无源区内的漏极互联金属14连接在一起...
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