技术编号:8300440
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,由于非晶硅材料的载流子迀移率低,应用非晶硅材料作为有源层的薄膜晶体管已不能满足高分辨率和高刷新率的高端显示装置的要求。而氧化物半导体材料则具有较高的载流子迀移率,因而应用氧化物半导体材料作有源层的薄膜晶体管在高端显示装置中得到广泛应用。由于用作有源层的氧化物半导体材料包含多种元素,使得该材料中产生较多的缺陷,例如氧空位。在薄膜晶体管的使用过程中,有源层中的缺陷逐渐向有源层与栅极绝缘层之间的界面处运动,从而导致薄膜晶体管的阈值电压产生漂移,影响显示装置...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。