一种基板及用于对其进行退火的退火方法、退火设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基板及用于对其进行退火的退火方法、退火设备。
【背景技术】
[0002]目前，由于非晶硅材料的载流子迀移率低，应用非晶硅材料作为有源层的薄膜晶体管已不能满足高分辨率和高刷新率的高端显示装置的要求。而氧化物半导体材料则具有较高的载流子迀移率，因而应用氧化物半导体材料作有源层的薄膜晶体管在高端显示装置中得到广泛应用。
[0003]由于用作有源层的氧化物半导体材料包含多种元素，使得该材料中产生较多的缺陷，例如氧空位。在薄膜晶体管的使用过程中，有源层中的缺陷逐渐向有源层与栅极绝缘层之间的界面处运动，从而导致薄膜晶体管的阈值电压产生漂移，影响显示装置中像素的开关效果，进而影响了显示效果。
[0004]为了防止薄膜晶体管的阈值电压在使用过程中产生漂移，通常在使用前对薄膜晶体管进行退火，从而减少有源层中的缺陷数量。发明人发现，退火不能完全消除薄膜晶体管的有源层中的缺陷，从而导致在使用过程中，仍然会有缺陷向有源层与栅极绝缘层的界面层运动的现象，进而导致薄膜晶体管的阈值电压产生漂移。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种基板及用于对其进行退火的退火方法、退火设备，能够进一步改善薄膜晶体管的阈值电压漂移的现象。
[0006]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0007]一种基板，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层的材质为氧化物半导体，所述薄膜晶体管的栅极电连接所述栅线，所述基板还包括至少一个栅极信号输入端子，所述栅极信号输入端子电连接所述栅线。
[0008]所述基板包括一个所述栅极信号输入端子及一条栅线总线，所述栅极信号输入端子通过所述栅线总线电连接所有所述栅线。
[0009]所述基板包括至少两个所述栅极信号输入端子及至少两条栅线总线，每个所述栅极信号输入端子通过一条所述栅线总线电连接一部分所述栅线。
[0010]一个所述栅极信号输入端子电连接一条所述栅线。
[0011]所述栅极信号输入端子位于所述基板的周边区域。
[0012]所述基板还包括位于所述衬底基板上的数据信号输入端子、数据总线和数据线，所述数据信号输入端子通过所述数据总线电连接所述数据线，所述数据线电连接所述薄膜晶体管的源极。
[0013]本发明实施例提供了一种如上述的基板，由于该基板包括栅极信号输入端子，从而可以在对基板进行退火的同时，向栅极信号输入端子输入栅极信号，由于栅极信号输入端子电连接栅线，栅线电连接薄膜晶体管的栅极，从而使得该栅极信号施加在薄膜晶体管上。一方面，栅极信号使得薄膜晶体管的有源层中的缺陷向有源层与栅极绝缘层之间的界面处移动，另一方面，退火促进有源层中氧化物半导体材料的价键结构进行重组，生成更稳定的化学键，并且退火时的高温促使缺陷更快速地移动到有源层与栅极绝缘层之间的界面处，从而能够进一步改善薄膜晶体管在使用过程中阈值电压产生漂移的现象。
[0014]本发明实施例还提供了一种用于对如上述的基板进行退火的退火方法，包括在对所述基板进行退火的同时，向所述栅极信号输入端子输入栅极信号。
[0015]所述栅极信号包括正电压和负电压。
[0016]向不同的所述栅极信号输入端子输入不同的栅极信号。
[0017]在对所述基板进行退火的同时，向数据信号输入端子输入数据信号。
[0018]本发明实施例提供了一种用于对如上述的基板进行退火的退火方法，对基板进行退火的同时，向栅极信号输入端子输入栅极信号，一方面，栅极信号施加在薄膜晶体管上，使得薄膜晶体管的有源层中的缺陷向有源层与栅极绝缘层之间的界面处移动，另一方面，退火促进有源层中氧化物半导体材料的价键结构进行重组，生成更稳定的化学键，并且退火时的高温促使缺陷更快速地移动到有源层与栅极绝缘层之间的界面处，从而能够进一步改善薄膜晶体管在使用过程中阈值电压产生漂移的现象。
[0019]本发明实施例还提供了一种用于对如上述的基板进行退火的退火设备，包括至少一个栅极信号输出端子，所述栅极信号输出端子用于电连接所述基板上的所述栅极信号输入端子。
[0020]所述退火设备还包括至少一个数据信号输出端子，所述数据信号输出端子用于电连接所述基板上的数据信号输入端子。
[0021]本发明实施例提供了一种用于对如上述的基板进行退火的退火设备，退火时，由于栅极信号输出端子电连接栅极信号输入端子，从而可以通过栅极信号输出端子向基板上的栅极信号输入端子输入栅极信号。一方面，栅极信号施加在薄膜晶体管上，使得薄膜晶体管的有源层中的缺陷向有源层与栅极绝缘层之间的界面处移动，另一方面，退火促进有源层中氧化物半导体材料的价键结构进行重组，生成更稳定的化学键，并且退火时的高温促使缺陷更快速地移动到有源层与栅极绝缘层之间的界面处，从而能够进一步改善薄膜晶体管在使用过程中阈值电压产生漂移的现象。
【附图说明】
[0022]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本发明实施例提供的第一种基板的局部示意图；
[0024]图2为本发明实施例提供的第—种基板的局部不意图；
[0025]图3为本发明实施例提供的第三种基板的局部示意图。
[0026]附图标记说明:
[0027]I一栅线； 2—薄膜晶体管；3—栅极信号输入端子；
[0028]4一栅线总线；5—数据信号输入端子；6—数据总线；
[0029]7—数据线。
【具体实施方式】
[0030]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0031]实施例一
[0032]如图1所示，本发明实施例提供了一种基板，该基板包括衬底基板(图中未示出)和位于衬底基板上的栅线I和薄膜晶体管2，薄膜晶体管2的有源层的材质为氧化物半导体，薄膜晶体管2的栅极电连接栅线1，基板还包括至少一个栅极信号输入端子3，栅极信号输入端子3电连接栅线I。
[0033]需要说明的是，本发明实施例中的基板退火后，切割形成阵列基板，该阵列基板与彩膜基板对盒后形成显示装置。
[0034]本发明实施例提供了一种如上述的基板，由于该基板包括栅极信号输入端子，从而可以在对基板进行退火的同时，向栅极信号输入端子输入栅极信号，由于栅极信号输入端子电连接栅线，栅线电连接薄膜晶体管的栅极，从而使得该栅极信号施加在薄膜晶体管上。一方面，栅极信号使得薄膜晶体管的有源层中的缺陷向有源层与栅极绝缘层之间的界面处移动，另一方面，退火促进有源层中氧化物半导体材料的价键结构进行重组，生成更稳定的化学键，并且退火时的高温促使缺陷更快速地移动到有源层与栅极绝缘层之间的界面处，从而能够进一步改善薄膜晶体管在使用过程中阈值电压产生漂移的现象。
[0035]为了便于本领域技术人员理解本发明实施例中的基板，下面本发明实施例具体提供以下三种基板，这三种基板的区别在于栅极信号输入端子3的数目以及与栅线I的具体连接关系不同。
[0036]第一种基板，如图1所示，基板包括一个栅极信号输入端子3及一条栅线总线4，栅极信号输入端子3通过栅线总线4电连接所有栅线1，从而使得基板的结构和制造方法简单。
[0037]第二种基板，如图2所示，基板包括至少两个栅极信号输入端子3及至少两条栅线总线4，每个栅极信号输入端子3通过一条栅线总线4电连接一部分栅线I。在基板的制造过程中，薄膜晶体管2的有源层通过沉积的方法形成，基板的不同区域(例如中心部分和周边部分)沉积的有源层的厚度不同，使得有源层中缺陷的数量不同，从而导致基板的不同区域的薄膜晶体管2的阈值电压的漂移范围不同，当基板具有如图2所示的结构时，在对该基板进行退火的同时，可以向不同的栅极信号输入端子3输入不同的栅极信号，从而向基板的不同区域的薄膜晶体管2输入不同的栅极信号，从而使所有的薄膜晶体管2的有源层中的缺陷在退火时均尽可能向有源层与栅极绝缘层之间的界面处的移动。
[0038]第三种基板，如图3所示，一个栅极信号输入端子3电连接一条栅线I。在