一种阵列基板及其制作方法和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
【背景技术】
[0002] TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显 示器）作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等 特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
[0003] TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板构成，在阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶 层。此外，在彩膜基板的上表面设置有第一偏振片，在阵列基板和背光模组之间设置有第 二偏振片。现有技术中，上述偏振片（第一偏振片和第二偏振片）包括两层三醋酸纤维 素（Triacetyl Cellulose，简称TAC)保护层，以及夹设于TAC保护层之间的第一聚乙稀醇 (Poly VinglAlcohol，简称PVA)材料层。这样形成的偏光片的厚度较大，导致最终形成的显 示装置的厚度较大，对于实现超薄显示装置带来限制，甚至无法实现显示装置的超薄设计。
【发明内容】
[0004] 本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，解决了现有的显示 器件中的偏振片厚度过大，导致形成的显示器件的厚度过大的问题，实现了显示装置的超 薄化设计，同时，可以降低像素电极层上的电阻，提高了电荷的迀移率，增强了显示器件的 显示效果。
[0005] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0006] 第一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板、形成在所述衬底基 板上的像素电极层，所述像素电极层的表面设置有第一线栅偏振膜；
[0007] 所述像素电极层的表面为所述像素电极靠近所述衬底基板的一面或远离所述衬 底基板的一面。
[0008] 可选的，所述阵列基板还包括：形成在所述衬底基板上的信号线，其中：
[0009] 所述信号线的表面设置有第二线栅偏振膜；
[0010] 所述信号线的表面为所述信号线靠近所述衬底基板的一面或远离所述衬底基板 的一面；
[0011] 所述第二线栅偏振膜和所述第一线栅偏振膜的偏振方向相同。
[0012] 可选的，所述信号线包括数据线和栅线中的至少一种。
[0013] 可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的栅距为80?150nm。
[0014] 可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的材料为铝、银或者铝和银 的合金。
[0015] 可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的厚度为100?200nm。
[0016] 第二方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：
[0017] 提供衬底基板；
[0018] 在所述衬底基板上形成像素电极层；
[0019] 在所述像素电极层的表面形成第一线栅偏振膜；
[0020] 所述像素电极层的表面为所述像素电极层靠近所述衬底基板的一面或远离所述 衬底基板的一面。
[0021] 可选的，所述方法还包括：
[0022] 在衬底基板上形成信号线；
[0023] 在所述信号线的表面形成第二线栅偏振膜；
[0024] 所述信号线的表面为所述信号线靠近所述衬底基板的一面或远离所述衬底基板 的一面；
[0025] 所述第二线栅偏振膜和所述第一线栅偏振膜的偏振方向相同。
[0026] 可选的，所述在所述像素电极层的表面，形成第一线栅偏振膜，包括：
[0027] 采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述像素电极层的表面形成一层金属薄膜；
[0028] 通过曝光、显影、刻蚀构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第一线栅偏振膜。
[0029] 可选的，所述在所述像素电极层的表面，形成第一线栅偏振膜，包括：
[0030] 采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述像素电极层的表面形成一层金属薄膜；
[0031] 通过压印光刻构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第一线栅偏振膜。
[0032] 可选的，所述在所述信号线的表面形成第二线栅偏振膜，包括：
[0033] 采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述信号线的表面形成一层金属薄膜；
[0034] 通过曝光、显影、刻蚀构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第二线栅偏振膜。
[0035] 可选的，所述在所述信号线的表面形成第二线栅偏振膜，包括：
[0036] 采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述信号线的表面形成一层金属薄膜；
[0037] 通过压印光刻构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第二线栅偏振膜。
[0038] 可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的栅距均为80?150nm。
[0039] 可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的厚度为100?200nm。
[0040] 第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第一方面所述的任一阵列基板。
[0041] 本发明的实施例提供的阵列基板及其制作方法和显示装置，通过采用线栅偏振膜 来实现对光线的起偏，并将该线栅偏振膜设置在像素电极层上，这样线栅偏振膜与像素电 极层直接连接在一起，由于线栅偏振膜采用金属材料形成，因此通电后像素电极层上的电 阻大大减小，解决了现有的显示器件中的偏振片厚度过大，导致形成的显示器件的厚度过 大的问题，实现了显示装置的超薄化设计，同时，可以降低像素电极层上的电阻，提高了电 荷的迀移率，增强了显示器件的显示效果。
【附图说明】
[0042] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0043]图1为本发明的实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0044] 图2为本发明的实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0045] 图3为本发明的实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
[0046] 图4为本发明的实施例提供的另一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
[0047] 图5为本发明的实施例提供的又一种阵列基板的制作方法的流程示意图。
[0048] 附图标记：1_衬底基板；2-像素电极层；3-第一线栅偏振膜；4-栅极；5-栅绝缘 层；6-源极；7-漏极；8-有源层；9-保护层；10-数据线；11-第二线栅偏振膜；12-栅线。
【具体实施方式】
[0049] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0050] 本发明的实施例提供一种阵列基板，参照图1所示，该阵列基板包括：衬底基板1、 形成在衬底基板1上的像素电极层2和第一线栅偏振膜3,其中：
[0051] 第一线栅偏振膜3设置在像素电极层2的表面。
[0052] 其中，如图1中所述线栅偏振膜是设置在像素电极层远离衬底基板的一面上，当 然第一线栅偏振膜也可以设置在像素电极层靠近衬底基板的一面上。
[0053] 如图1中所示，该阵列基板还包括：栅极4、栅绝缘层5、源极6、漏极7、有源层8和 保护层9。
[0054] 其中，构成衬底基板1的材料可以包括玻璃、石英石的至少一种。当线栅偏振 膜3应用于柔性显示装置时，构成衬底基板1的材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯 (Polyethylene terephthalate，简称 PET)、三醋酸纤维素（Triacetyl Cellulose，简称 TAC)中的至少一种，以满足柔性显示装置能够弯曲，卷折的设计要求。
[0055] 具有线栅图案的线栅偏振膜3需要对入射光具有偏振作用，在此情况下，构成上 述线栅图案的栅距（线栅偏振膜上相邻两个条形的线栅图案的中心距）需小于等于入射光 波长的二分之一。
[0056] 需要说明的是，本实施例中只是举例说明阵列基板的结构如图1中所示，实际设 计中只要保证阵列基板的像素电极层上具有线栅偏振膜即可，有源层可以是在源漏极的上 面也可以是在源漏极的下面，薄膜晶体管可以栅极顶接触类型也可以是栅极底接触类型。
[0057] 本发明的实施例提供的阵列基板，通过在阵列基板中采用线栅偏振膜来实现对光 线的起偏，并将该线栅偏振膜设置在像素电极层上，使得像素电极层部分裸露的位置，这样 线栅偏振膜与像素电极直接连接在一起，由于线栅偏振膜采用金属材料形成，因此通电后 像素电极层上的电阻大大减小，解决了现有的显示器件中的偏振片厚度过大，导致形成的 显示器件的厚度过大的问题，实现了显示装置的超薄化设计，同时，可以降低像素电极层上 的电阻，提高了电荷的迀移率，增强了显示器件的显示效果。
[0058] 进一步