技术编号:8300459
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。为了增加半导体电器件的切换速度以及为了减小能耗,减小导通电阻和栅极电容是优选的。为了减小导通电阻和栅极电容,通常应用将肖特基势垒二极管(SBD)结合到半导体电器件(例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))中的方法肖特基势垒二极管(SBD)通过金属和半导体之间的结来形成肖特基势垒。就是说,在金属和半导体之间形成这样的金属-半导体结,产生肖特基势垒。所使用的典型金属为钥、钼、铬或钨、以及某些硅化物例如钯硅化物和钼硅化物;并且半导体通常为η型硅。金属侧...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。