技术编号:8300514
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为主的II1-V族氮化物材料(又称GaN基材料)是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料,在短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备等方面具有重要的应用,用于制造比如蓝、紫、紫外波段发光器件、探测器件,高温、高频、高场大功率器件,场发射器件,抗辐射器件,压电器件等。InGaN/GaN量子阱是高效固体照明的优选材料,作为商业化蓝绿光LED的核心部分引起了广大研宄者的兴趣,本申请人研宄小组已经有工艺方面的申...
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