技术编号：8320593
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。IC片(集成电路芯片)的生产过程中，经常遇到片料有氮化硅涂层需要做清除处理；现有的氮化硅腐蚀清除方法，主要有干法和湿法，干法腐蚀的偏差小，腐蚀的图形可控，所用化学试剂的剂量也较小，但需购买专用设备操作，成本高、腐蚀速率较慢，通常用于对精度要求较高的刻蚀，不适用于大批量的IC片料清洗工作；湿法腐蚀即完全使用化学试剂进行腐蚀，偏差稍大，应用于大批量IC片料清洗工作时可以接受，但采用现有传统配比的混酸溶液，腐蚀速率仍较慢，需反复多次酸洗才能清除氮化硅涂层，费时费...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。