一种去除ic片料中氮化硅涂层的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路芯片加工技术领域，具体涉及一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法。
【背景技术】
[0002]IC片(集成电路芯片)的生产过程中，经常遇到片料有氮化硅涂层需要做清除处理；现有的氮化硅腐蚀清除方法，主要有干法和湿法，干法腐蚀的偏差小，腐蚀的图形可控，所用化学试剂的剂量也较小，但需购买专用设备操作，成本高、腐蚀速率较慢，通常用于对精度要求较高的刻蚀，不适用于大批量的IC片料清洗工作；湿法腐蚀即完全使用化学试剂进行腐蚀，偏差稍大，应用于大批量IC片料清洗工作时可以接受，但采用现有传统配比的混酸溶液，腐蚀速率仍较慢，需反复多次酸洗才能清除氮化硅涂层，费时费力，同样不利于降低成本，且多次清洗的过程对环境保护的影响也较大。
【发明内容】
[0003]本发明的目的旨在提供一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法，具有去除效率高，成本低，省时省力的优点。
[0004]为实现上述目的，本发明的一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法，包括以下步骤:配制腐蚀液一清洗，
[0005]I)配制腐蚀液:取55%浓度氢氟酸9.5-10.5、70%浓度硝酸0.9-1.1、85%浓度磷酸1.8-2.2，置于清洗槽，现配现用；2)清洗:将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤I)配制的腐蚀液中，反应时间l_2min，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
[0006]本发明的一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法与现有技术相比具有如下优异效果O
[0007]采用本发明的去除IC片料中氮化硅涂层的方法，反应速率快、时间短、效率高，可实现一次性清除IC片料中的氮化硅涂层，省时省力，降低了清洗成本，也避免了多次酸洗造成环境污染，经清洗后的IC片料表面润亮，能够满足大批量的清洗要求。
【具体实施方式】
[0008]下面对本发明的一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法作进一步的详细说明。
[0009]本发明的一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法，包括以下步骤:配制腐蚀液一清洗，
[0010]I)配制腐蚀液:取55%浓度氢氟酸9.5-10.5、70%浓度硝酸0.9-1.1、85%浓度磷酸1.8-2.2，置于清洗槽，现配现用；2)清洗:将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤I)配制的腐蚀液中，反应时间l_2min，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
[0011]实施例1:
[0012]一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法，包括以下步骤:
[0013]I)配制腐蚀液:取55%浓度氢氟酸9.5、70%浓度硝酸0.9、85%浓度磷酸1.8，置于清洗槽，现配现用；2)清洗:将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤I)配制的腐蚀液中，反应时间lmin，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
[0014]实施例2:
[0015]一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法，包括以下步骤:
[0016]I)配制腐蚀液:取55%浓度氢氟酸10、70%浓度硝酸1、85%浓度磷酸2，置于清洗槽，现配现用；2)清洗:将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤I)配制的腐蚀液中，反应时间1.5min，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
[0017]实施例3:
[0018]一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法，包括以下步骤:
[0019]I)配制腐蚀液:取55%浓度氢氟酸10.5、70%浓度硝酸1.1、85%浓度磷酸2.2，置于清洗槽，现配现用；2)清洗:将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤I)配制的腐蚀液中，反应时间2min，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
[0020]以上实施例仅对本发明精神的举例说明，本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的实施例做不同方式的修改或补充或采用类似的方式替换，但并非偏离本发明的精神所定义的范围。
【主权项】
1.一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法，包括以下步骤:配制腐蚀液一清洗，其特征在于: (I)配制腐蚀液:取55%浓度氢氟酸9.5-10.5、70%浓度硝酸0.9-1.1、85%浓度磷酸1.8-2.2，置于清洗槽，现配现用；(2)清洗:将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤(I)配制的腐蚀液中，反应时间l_2min，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
2.根据权利要求1所述的去除IC片料中氮化硅涂层的方法，其特征在于: (I)配制腐蚀液:取55%浓度氢氟酸9.5、70%浓度硝酸0.9、85%浓度磷酸1.8，置于清洗槽，现配现用；(2)清洗:将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤(I)配制的腐蚀液中，反应时间lmin，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
3.根据权利要求1所述的去除IC片料中氮化硅涂层的方法，其特征在于: (I)配制腐蚀液:取55%浓度氢氟酸10、70%浓度硝酸1、85%浓度磷酸2，置于清洗槽，现配现用；(2)清洗:将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤(I)配制的腐蚀液中，反应时间1.5min，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
4.根据权利要求1所述的去除IC片料中氮化硅涂层的方法，其特征在于: (I)配制腐蚀液:取55%浓度氢氟酸10.5、70%浓度硝酸1.1、85%浓度磷酸2.2，置于清洗槽，现配现用；(2)清洗:将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤(I)配制的腐蚀液中，反应时间2min，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
【专利摘要】本发明涉及集成电路芯片加工技术领域，具体涉及一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法，包括以下步骤：配制腐蚀液→清洗，采用本发明的去除IC片料中氮化硅涂层的方法，反应速率快、时间短、效率高，可实现一次性清除IC片料中的氮化硅涂层，省时省力，降低了清洗成本，也避免了多次酸洗造成环境污染，经清洗后的IC片料表面润亮，能够满足大批量的清洗要求。
【IPC分类】H01L21-02
【公开号】CN104637786
【申请号】CN201510043357
【发明人】梅川奇, 傅卓理, 何贤安
【申请人】江西久顺科技有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年1月21日