一种显示基板及其制备方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]图1为现有技术中显不基板的结构不意图。如图1所不，在液晶显不装置的制备过程中，通常在树脂层101之下形成由氮化硅材料构成的钝化层102，所述钝化层102作为水汽的阻挡层，可以提高薄膜晶体管的性能。在工艺过程中，首先对树脂层101进行曝光显影和固化工艺，之后对所述钝化层102进行刻蚀形成过孔。由于树脂层101与钝化层102的刻蚀速率不同，会造成钝化层102的横向刻蚀，从而在树脂层101与钝化层102之间形成倒钩角(如图中A区域所示)，这将导致在后续工序中，沉积像素电极时发生断裂，造成接触不良。
【发明内容】
[0003]为解决上述问题，本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，用于解决现有技术中树脂层与钝化层之间形成倒钩角，导致像素电极沉积时发生断裂，从而造成接触不良的问题。
[0004]为此，本发明提供一种显示基板的制备方法，包括:
[0005]在衬底基板上形成第一绝缘层；
[0006]在所述第一绝缘层之上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层的刻蚀速率小于所述第一绝缘层的刻蚀速率；
[0007]在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上形成贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第一过孔，所述第一过孔的第二绝缘层侧壁与第一绝缘层侧壁平滑连接。
[0008]可选的，所述在衬底基板上形成第一绝缘层的步骤包括:
[0009]在衬底基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极；
[0010]在所述薄膜晶体管之上形成所述第一绝缘层，所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极对应设置。
[0011]可选的，所述第一绝缘层的构成材料包括氮化硅，所述第二绝缘层的构成材料包括树脂材料。
[0012]可选的，所述在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上形成贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第一过孔的步骤包括:
[0013]对所述第二绝缘层进行刻蚀处理以形成第一中间过孔，所述第一中间过孔与所述薄膜晶体管的漏极对应；
[0014]对所述第一绝缘层进行刻蚀处理以形成第二中间过孔，所述第二中间过孔与所述薄膜晶体管的漏极对应；
[0015]通过对所述第二绝缘层进行固化处理在所述第二中间过孔的第一绝缘层侧壁之上形成第二绝缘层薄膜，所述第一过孔由所述第一中间过孔和所述第二中间过孔构成。
[0016]可选的，对所述第一绝缘层进行刻蚀处理的条件为:功率范围包括4000mW至7000mWo
[0017]可选的，对所述第一绝缘层进行刻蚀处理的条件为:刻蚀气体为六氟化硫和氦气的混合气体。
[0018]可选的，对所述第二绝缘层进行固化处理的条件为:温度范围包括245°C至255°C，时间范围包括20min至40min。
[0019]可选的，对所述第二绝缘层进行固化处理的条件为:所述温度为250°C，所述时间为 30min。
[0020]可选的，所述对所述第二绝缘层进行刻蚀处理以形成第一中间过孔的步骤之后，所述对所述第一绝缘层进行刻蚀处理以形成第二中间过孔的步骤之前包括:
[0021]对所述第二绝缘层进行预固化处理，所述预固化处理的条件为:温度为130°C，时间为 200seco
[0022]可选的，形成第二绝缘层的条件为:曝光剂量小于lOOmj，干燥压力小于26pa，显影时间大于70sec。
[0023]本发明还提供一种显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层之上设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层的刻蚀速率小于所述第一绝缘层的刻蚀速率，所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上设置有贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第一过孔，所述第一过孔的第二绝缘层侧壁与第一绝缘层侧壁平滑连接。
[0024]可选的，所述衬底基板上设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，所述第一绝缘层设置在所述薄膜晶体管之上，所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极对应设置。
[0025]可选的，所述第一绝缘层的构成材料包括氮化硅，所述第二绝缘层的构成材料包括树脂材料。
[0026]可选的，第一绝缘层侧壁之上形成有第一绝缘层薄膜，以使第二绝缘层侧壁与第一绝缘层侧壁平滑连接。
[0027]本发明还提供一种显示装置，包括上述任一显示基板。
[0028]本发明具有下述有益效果:
[0029]本发明提供的显示基板及其制备方法、显示装置中，所述制备方法在第一绝缘层和第二绝缘层上形成贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第一过孔，所述第一过孔的第一绝缘层侧壁与第二绝缘层侧壁平滑连接，以避免出现在第一绝缘层与第二绝缘层之间形成倒钩角，导致像素电极发生断裂的现象，从而降低了接触电阻，提高了产品良率以及制备工艺的稳定性。
【附图说明】
[0030]图1为现有技术中显不基板的结构不意图；
[0031]图2为本发明实施例一提供的一种显示基板的制备方法的流程图；
[0032]图3为实施例一中形成第一中间过孔的示意图；
[0033]图4为实施例一中形成第二中间过孔的示意图；
[0034]图5为实施例一中形成第一过孔的示意图。
【具体实施方式】
[0035]为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的显示基板及其制备方法、显示装置进行详细描述。
[0036]实施例一
[0037]图2为本发明实施例一提供的一种显示基板的制备方法的流程图。如图2所示，所述显示基板的制备方法包括:
[0038]步骤1001、在衬底基板上形成第一绝缘层。
[0039]步骤1002、在所述第一绝缘层之上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层的刻蚀速率小于所述第一绝缘层的刻蚀速率。
[0040]本实施例中，所述在衬底基板上形成第一绝缘层的步骤包括:
[0041]在衬底基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极；
[0042]在所述薄膜晶体管之上形成所述第一绝缘层，所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极对应设置。
[0043]图3为实施例一中形成第一中间过孔的示意图。如图3所示，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极以及漏极。具体来说，在衬底基板103上形成栅极104，在所述栅极104上形成栅绝缘层105，在所述栅绝缘层105上形成有源层106，在所述有源层106上形成源极107和漏极108。
[0044]本实施例中，所述第一绝缘层包括钝化层，所述第二绝缘层包括树脂层。具体来说，在所述源极107和所述漏极108上形成钝化层102。所述钝化层102的构成材料包括氮化硅，在所述钝化层102上形成树脂层101。
[0045]步骤1003、在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上形成贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第一过孔，所述第一过孔的第二绝缘层侧壁与第一绝缘层侧壁平滑连接。
[0046]本实施例中，“平滑连接”是指第一过孔的树脂层侧壁与钝化层侧壁之间的连接处平缓衔接，使得所述树脂层侧壁与所述钝化层侧壁之间平滑过渡，不会出现非常明显的凹凸不平或者倒钩角，上述凹凸不平或者倒钩角将导致在后续工序中，沉积像素电极时发生断裂，造成接触不良。
[0047]本实施例中，所述在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上形成贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第一过孔的步骤包括:
[0048]步骤2001、对所述第二绝缘层进行刻蚀处理以形成第一中间过孔，所述第一中间过孔与所述薄膜晶体管的漏极对应。
[0049]首先，在所述树脂层101上涂敷光刻胶，采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影以形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶去除区域对应于形成第一中间过孔202的图形区域，所述光刻胶保留区域对应于所述图形区域之外的其它区域。然后，对所述树脂层101进行刻蚀以在所述树脂层101上与所述漏极108对应的区域形成第一中间过孔202。本实施例中，考虑到所述树脂层101的坡度角过大的话，在后续工艺过程中对所述树脂层101进行正式固化处理时树脂不容易流动，因此将对树脂层101的曝光剂量限定为小于10m j，干燥压力限定为小于26pa，显影时间限定为大于70SeC。优选的，所述对所述树脂层进行刻蚀处理以形成第一中间过孔的步骤之后，对所述树脂层101进行预固化处理，所述预固化处理的条件如下:温度为130°C，时间为200seC，从而使得所述树脂层101更加坚硬和耐受干法刻蚀。
[0050]步骤2002、对所述第一绝缘层进行刻蚀处理以形成第二中间过孔，所述第二中间过孔与所述薄膜晶体管的漏极对应。
[0051]图4为实施例一中形成第二中间过孔的示意图。如图4所示，在所述树脂层101上涂敷光刻胶，采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影以形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶去除区域对应于形成第二中间过孔203的图形区域，所述光刻胶保留区域对应于所述图形区域之外的其它区域。然后，对所述钝化层102进行刻蚀以在所述钝化层102上与所述漏极108对应的区域形成第二中间过孔203。可选的，所述刻蚀工艺为干