技术编号:8320756
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。集成电路(“1C”)可以包括一种或多种类型的半导体器件,诸如η沟道MOSFET ( “NM0S”)器件、ρ沟道MOSFET ( “PM0S”)器件、双极结晶体管(“BJT”)器件、二极管器件和电容器器件等。对于半导体设计者而言,不同类型的器件可代表不同的设计依据。IC也可以包括具有不同电路功能的电路,诸如具有模拟功能、逻辑功能和存储功能的1C。发明内容根据本文所描述的教导,提供了一种具有多个半导体器件层的半导体结构。在一个实例中,该半导体结构包括第一掩埋氧...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。