技术编号:8320851
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种太阳能电池,特别是一种异质结太阳能电池。背景技术 如图1所示,其显示了现有技术的一种异质结太阳能电池的结构,具有P型结晶娃 基板(p-type ciTstalline silicon substrate) 10,而该P型结晶娃基板10具有受光面 102及背光面101。在受光面102及背光面101上分别形成有i型非晶娃薄膜层(intrinsic amo巧hous silicon layer) 12、11。在该i型非晶娃薄膜层12、11上分别形...
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