异质结太阳能电池的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种太阳能电池，特别是一种异质结太阳能电池。
【背景技术】
[0002] 如图1所示，其显示了现有技术的一种异质结太阳能电池的结构，具有P型结晶娃 基板（p-type ciTstalline silicon substrate) 10,而该P型结晶娃基板10具有受光面 102及背光面101。在受光面102及背光面101上分别形成有i型非晶娃薄膜层（intrinsic amo巧hous silicon layer) 12、11。在该i型非晶娃薄膜层12、11上分别形成有n型非晶娃 层14及P型非晶娃层13。于该n型非晶娃层14及该P型非晶娃层13上则形成有透明导电 层16、15及导电端子18与电极层17。由于此种太阳能电池的层叠结构具有娃异质结和娃 本征层，故又被称为异质结太阳能电池化IT,Heterojunction with Intrinsic "Thin-layer solar cell)。
[0003] 然而在此种异质结太阳能电池中，于p型结晶娃基板10的受光面102的非晶娃 层，如i型非晶娃薄膜层12或n型非晶娃层14,该非晶娃的材料受光照时，会有高光吸收 率透光率不佳的问题，而无法让光线有效的穿透，使得太阳能电池受到光能激发产生的光 生载子的数量衰减，另传统利用PECVD等离子设备工艺易于娃基板表面产生等离子损伤 (plasma damage)缺陷，因而使组件产生的短路电流较小，使得转换效率降低。
[0004] 如图4所示，其显示了现有技术的另一种异质结太阳能电池的结构，具有P型 微晶娃层（p-type nanociystalline silicon layer)40,该P型微晶娃层40具有受光 面402及背光面401 ;于背光面401的方向上，依序形成有i型微晶娃薄膜层（intrinsic nanocrystalline silicon layer)41a、n 型微晶娃层（n-type nanocrystalline silicon layer)4化、第二透明导电层43、及银质层45。于受光面402的方向上，依序形成有中间反 射层（intermediate reflector layer) 42、n型非晶娃层44a、i型非晶娃薄膜层44b、P型 非晶娃层44c、第一透明导电层46、玻璃基板48。然而，于此种异质结太阳能电池中，该n 型微晶娃层4化与中间反射层42也有透光率不佳从而导致光电转换效率需要提升的问题。 具体言之，为了达到上电池（Top cell,即非晶娃层）与下电池炬ottom cell,即微晶娃层） 的电流匹配，于光学考量上会加上中间反射层，W让光线可W反射俾回馈回上电池；但是， 于电性考量上，为了使上、下电池的串接阻值降低，中间反射层却需要比较厚的厚度，因此， 易造成上电池因光反射达成电流满足，而下电池却因反射层太厚导制入射光量降低，构成 电流不匹配的现象。
[0005] 再如图6所示，其为异质结太阳能电池的又一种结构，依序形成有基板60、金属背 接触层（metallic back contact)61、p 型吸收层（p-type 油sorbe;r)62、缓冲层 〇3uffer layer)63、薄膜层64、透明导电层65、及导电端子66。于此种异质结太阳能电池中，同样存 在有透光度不佳使得光电转换效率不高的问题。
[0006] 鉴于上述现有技术的缺点，如何改善异质结太阳能电池透光率不佳所导致的种种 不足，即为目前业界急待解决的问题。
【发明内容】
[0007] 鉴于现有技术的种种缺失，本发明的主要目的之一，即在于提供一种新颖的异质 结太阳能电池，W提升光电转换效率。
[000引为了达到此种目的或其它目的，本发明提供一种异质结太阳能电池，包含；具有受 光面的P型结晶娃基板；第一 i型非晶娃薄膜层，形成在该P型结晶娃基板的受光面上；形 成在该第一 i型非晶娃薄膜层上的n型非晶氧化层；W及第一透明导电层，形成于该n型非 晶氧化层上。
[0009] 此外，本发明还提供另一种异质结太阳能电池，包含；具有受光面的P型结晶娃基 板；n型非晶氧化层，形成在该P型结晶娃基板的受光面上；W及第一透明导电层，形成于该 n型非晶氧化层上。
[0010] 另外，本发明还提供一种异质结太阳能电池，包含；P型微结晶娃层，具有受光面 及相对于该受光面的背光面；第一纳米银线层，形成在该P型微晶娃层的受光面上；第一 n 型非晶氧化层，形成在该纳米银线层上；i型微晶娃薄膜层，形成在该P型微结晶娃层的背 光面上；第二n型非晶氧化层形成在该i型微晶娃薄膜层上；W及第二纳米银线层，形成在 该第二n型非晶氧化层上。
[0011] 其次，本发明又提供一种异质结太阳能电池，包含：n型非晶氧化层，具有受光面； W及纳米银线层，形成在该n型非晶氧化层的受光面上。
[0012] 相较于现有技术，由于本发明采用n型非晶氧化层，而n型非晶氧化层的透光度较 佳，所W相对于传统的异质结太阳能电池而言，本发明在开路电压或电流密度方面皆有显 著的提升，从而使得光电转换效率更为优异。
【附图说明】
[0013] 图1为现有技术的一种异质结太阳能电池的横切面示意图；
[0014] 图2为本发明的异质结太阳能电池第一实施例的横切面示意图；
[0015] 图3为本发明的异质结太阳能电池第二实施例，内含两种实施方式的横切面示意 图；
[0016] 图4为现有技术的另一种异质结太阳能电池的横切面示意图；
[0017] 图5为本发明的异质结太阳能电池第H实施例的横切面示意图；
[001引图6为现有技术的又一种异质结太阳能电池的横切面示意图拟及
[0019] 图7为本发明的异质结太阳能电池第四实施例的横切面示意图。
[0020] 附图标记说明：
[0021]
【主权项】
1. 一种异质结太阳能电池，包含： P型结晶娃基板，具有雙光面； 第一 i型非晶娃薄膜层，形成在该P型结晶娃基板的受光面上； n型非晶氧化层，形成在该第一 i型非晶娃薄膜层上；W及 第一透明导电层，形成于该n型非晶氧化层上。
2. 根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池还包括导电 端子，形成于该第一透明导电层上，且外露出部分的该第一透明导电层W形成受光区域。
3. 根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该第一 i型非晶娃薄膜层为 形成时通入氨气的结构，该n型非晶氧化层为经热退火处理的结构。
4. 根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该n型非晶氧化层为于 locrc至loocrc间进行热退火处理的结构。
5. 根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该n型非晶氧化层为含钢、 嫁、锋或氧的结构。
6.