根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该第一透明导电层为含氮 化娃、二氧化娃、钢锡氧化物或氧化锋的结构。
7. 根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该导电端子为银质结构。
8. 根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该P型结晶娃基板更具有相 对于该受光面的背光面，该异质结太阳能电池还包括： 第二i型非晶娃薄膜层，形成于该基板的背光面上； P型非晶娃层，形成在该第二i型娃薄膜层上； 第二透明导电层，形成于该P型非晶娃层上；W及 电极层，形成于该第二透明导电层上。
9. 根据权利要求8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该第二i型非晶娃薄膜层为 形成时通入氨气的结构，该P型非晶娃层为形成时通入氨气的结构。
10. 根据权利要求8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该第二透明导电层为氮化 娃、二氧化娃、钢锡氧化物或氧化锋结构，该电极层为银质结构。
11. 一种异质结太阳能电池，包含： P型结晶娃基板，具有受光面； n型非晶氧化层，形成在该P型结晶娃基板的受光面上；W及 第一透明导电层，形成于该n型非晶氧化层上。
12. 根据权利要求11所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池还包括导 电端子，形成于该第一透明导电层上，且外露出部分的该第一透明导电层W构成受光区域。
13. 根据权利要求11所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该n型非晶氧化层为经热 退火处理的结构。
14. 根据权利要求13所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该n型非晶氧化层为于 locrc至loocrc间进行热退火处理的结构。
15. 根据权利要求11所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该n型非晶氧化层为含 钢、嫁、锋或氧的结构。
16. 根据权利要求11所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该第一透明导电层为含 氮化娃、二氧化娃、钢锡氧化物或氧化锋结构。
17. 根据权利要求12所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该导电端子为银质结构。
18. 根据权利要求11所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该n型非晶氧化层包括： n-型非晶氧化层，形成于该P型结晶娃基板的受光面上；W及 n+型非晶氧化层，形成于该n-型非晶氧化层上，其中，该第一透明导电层形成于该n+ 型非晶氧化层上。
19. 根据权利要求18所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该n-型非晶氧化层的厚 度小于该n+型非晶氧化层的厚度，且该n-型非晶氧化层的浓度小于该n+型非晶氧化层的 浓度。
20. 根据权利要求11所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该P型结晶娃基板更具有 相对于该受光面的背光面，该异质结太阳能电池还包括： 第一 i型非晶娃薄膜层，形成于该基板的背光面上； P型非晶娃层，形成在该第一 i型娃薄膜层上； 第二透明导电层，形成于该P型非晶娃层上；W及 电极层，形成于该第二透明导电层上。
21. 根据权利要求20所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该第一 i型非晶娃薄膜层 为形成时通入氨气的结构，该P型非晶娃层为形成时通入氨气的结构。
22. 根据权利要求20所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该第二透明导电层为含 氮化娃、二氧化娃、钢锡氧化物或氧化锋的结构，该电极层为银质结构。
23. -种异质结太阳能电池，包含： P型微结晶娃层，具有受光面及相对于该受光面的背光面； 第一纳米银线层，形成在该P型微晶娃层的受光面上； 第一 n型非晶氧化层，形成在该纳米银线层上； i型微晶娃薄膜层，形成在该P型微结晶娃层的背光面上； 第二n型非晶氧化层，形成在该i型微晶娃薄膜层上；W及 第二纳米银线层，形成在该第二n型非晶氧化层上。
24. 根据权利要求23所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池还包括： i型非晶娃薄膜层，形成于该第一 n型非晶氧化层上； P型非晶娃层，形成在该i型非晶娃薄膜层上； 透明导电层，形成于该P型非晶娃层上；W及 玻璃基板，形成于该透明导电层上。
25. 根据权利要求23所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该i型微晶娃薄膜层及P 型微晶娃层为形成时通入氨气的结构，该第一及第二n型非晶氧化层为经热退火处理的结 构。
26. 根据权利要求23所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该第一及第二n型非晶氧 化层为于i〇(TC至loocrc间进行热退火处理的结构。
27. 根据权利要求23所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该第一及第二n型非晶氧 化层为含钢、嫁、锋或氧的结构。
28. 根据权利要求24所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该透明导电层为含氮化 娃、二氧化娃、钢锡氧化物或氧化锋结构。
29. 根据权利要求24所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该i型非晶娃薄膜层与P 型非晶娃层为形成时通入氨气的结构。
30. -种异质结太阳能电池，包含： n型非晶氧化层，具有受光面；W及 纳米银线层，形成在该n型非晶氧化层的受光面上。
31. 根据权利要求30所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该结构还包括导电端子， 形成于该纳米银线层上，且外露出部分的该纳米银线层W构成受光区域。
32. 根据权利要求30所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该n型非晶氧化层更具有 相对于该受光面的背光面，该异质结太阳能电池还包括： P型吸收层，形成于该n型非晶氧化层的背光面； 金属背接触层，形成W承载该P型吸收层；W及 基板，形成W承载该金属背接触层。
33. 根据权利要求30所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该n型非晶氧化层为含 钢、嫁、锋或氧的结构。
34. 根据权利要求31所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该导电端子为含媒或铅 的结构。
35. 根据权利要求32所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该P型吸收层为含铜、钢、 嫁或砸的结构。
【专利摘要】本发明公开了一种异质结太阳能电池，包含具有受光面的p型结晶硅基板、形成在该p型结晶硅基板的受光面上的第一i型非晶硅薄膜层、形成在该第一i型非晶硅薄膜层上的n型非晶氧化层、以及形成于该n型非晶氧化层上的第一透明导电层。再者，本发明的异质结太阳能电池可选择性地不形成第一i型非晶硅薄膜层，而直接形成n型非晶氧化层，且所形成的n型非晶氧化层也可为依序形成的n-以及n+非晶氧化层。
【IPC分类】H01L31-0376, H01L31-077
【公开号】CN104638048
【申请号】CN201310654869
【发明人】陈玉鸿, 刘俊岑, 刘永宗, 林宸澄
【申请人】财团法人工业技术研究院
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年12月6日
【公告号】DE102014105910A1, US20150129025