技术编号:8332011
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种TaSi2及其应用,属于纳米材料。具体是利用激光悬浮区熔定向凝固技术获得Si基体中规则排列的TaSi2纤维,采用感应耦合等离子体刻蚀技术将硅基体原位刻蚀,制备形成线性度好、定向生长且规则排列的TaSi2m米线。背景技术TaSi2具有高熔点(Tm= 2040 °C)、高电导率(P 293K= 20.20 Ω μ.cm)、较低的功函数(Φ =0.59eV),并与硅有很好的结合强度。因此,TaSi2被认为是一种具有广阔应用前景的场发射阴极材料,在场...
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