技术编号:8341142
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体中,对于先进的半导体技术,应力工程成为器件性能提升的最重要的因素之一。对于PM0S,锗硅(SiGe )技术可以通过给沟道施加压应力来提高载流子迁移率。对于NPMOSj^-(SiC)技术可以通过给沟道施加张应力来提高载流子迁移率。在锗硅(SiGe)和碳硅(SiC)的晶体结构中,锗(Ge)原子和碳(C)原子占据硅(Si )原子本来的位置。由于C、Ge、Si为同族元素并且它们的均具有4个价电子,SiGe和SiC均不带电。由于C原子的体积比Si原子小,因此...
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