技术编号:8341250
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在现有技术中,大多数分断层屏蔽结构是基于激光切割处理。并且在分断层的上 表面和侧表面镀覆导电屏蔽层以形成分断屏蔽层,而分断屏蔽层之间填充由绝缘材料来维 持各模块的压力。如TW201414374A所示,这种屏蔽结构不仅镀覆工艺复杂,尤其对于分断 屏蔽层之间的深槽结构底部通过常规的PVD,例如溅镀工艺难以形成均匀厚度的导电屏蔽 层,此外由于材料的异质性,屏蔽层之间的填充效果也不好,另外分断层屏蔽结构与地线之 间的导电性不佳,从而导致屏蔽效果不佳。发明内容 为...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。