引线键合的屏蔽结构及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电子封装的技术领域，更具体地说，本发明涉及一种引线键合的屏蔽 结构及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 在现有技术中，大多数分断层屏蔽结构是基于激光切割处理。并且在分断层的上 表面和侧表面镀覆导电屏蔽层以形成分断屏蔽层，而分断屏蔽层之间填充由绝缘材料来维 持各模块的压力。如TW201414374A所示，这种屏蔽结构不仅镀覆工艺复杂，尤其对于分断 屏蔽层之间的深槽结构底部通过常规的PVD，例如溅镀工艺难以形成均匀厚度的导电屏蔽 层，此外由于材料的异质性，屏蔽层之间的填充效果也不好，另外分断层屏蔽结构与地线之 间的导电性不佳，从而导致屏蔽效果不佳。
【发明内容】
[0003] 为了解决现有技术中的上述技术问题，本发明的目的在于提供一种引线键合的屏 蔽结构及其制备方法。
[0004] 为了实现上述目的，本发明的第一方面涉及一种引线键合的屏蔽结构的制备方 法。
[0005] 所述制备方法包括以下步骤：
[0006] (1)提供一线路基板，所述线路基板的第一表面上电性连接有至少两个电子元件； 并且所述第一表面下设置有至少一接地垫，所述接地垫位于所述至少两个电子元件之间； 提供引线键并将其与所述接地垫电性连接；
[0007] (2)对所述线路基板上的所述至少两个电子元件填充封装材料进行封胶；
[0008] (3)对相邻的电子元件之间形成的封胶进行激光切割并且使得引线键裸露出来形 成具有两个侧壁的沟槽，而沟槽的两侧形成至少两个封装层；
[0009] (4)在所述沟槽的两个侧壁之间的空间内填充满导电填料，并将露出的引线键包 覆在所述导电填料内；
[0010] (5)在所述线路基板、封装层和导电填料的外露表面上镀覆连续的屏蔽涂层，所述 屏蔽涂层通过所述引线键与接地垫电性连接。
[0011] 其中，所述屏蔽涂层还通过基板侧边的对地端口（Groundvia)与地线连接。
[0012] 其中，所述接地垫位于所述沟槽的正下方。
[0013] 其中，所述切割为激光切割工艺。
[0014] 其中，所述引线键的形状为环形线、直线、柱状、螺旋状，或其它可加工的形状。
[0015] 其中，所述屏蔽涂层为镀膜工艺制备的金属涂层。
[0016] 本发明的第二方面还涉及一种引线键合的屏蔽结构。
[0017] 本发明所述引线键合的屏蔽结构，包括线路基板，所述线路基板具有第一表面，所 述第一表面下设置有至少一个接地垫；所述第一表面上设置有至少两个电子元件和用于封 装所述电子元件的至少两个封装层，所述至少两个电子元件均电性连接至所述线路基板； 相邻的封装层之间存在沟槽；其特征在于：所述沟槽的底部设置有电连接至接地垫的接线 端子（finger)，所述接线端子上连接有引线键；所述沟槽的空间填充满导电填料；而所述 封装层和导电填料的外露表面上镀覆形成有连续的屏蔽涂层，并且所述屏蔽涂层通过所述 引线键与接地垫电性连接。
[0018] 其中，所述屏蔽涂层还通过基板侧边的对地端口（Groundvia)与地线连接。
[0019] 其中，所述电子元件包括受保护的元件或者敏感型的电子元件。
[0020] 其中，所述引线键的材料为金、银、铜、铝或它们的合金。
[0021] 其中，所述屏蔽涂层为导电金属涂层。
[0022] 与现有技术相比，本发明所述的引线键合的屏蔽结构具有以下有益效果：
[0023] 本发明所述的引线键合的屏蔽结构与分断层屏蔽结构相比，从工艺上而言，避免 了大高宽比的沟槽侧壁的镀覆问题。从技术效果上说，直接通过填充导电填料也避免了金 属与填充树脂之间因冷热循环而导致的密封性不佳，甚至引起屏蔽层接地导电性降低甚至 失效的问题，使得屏蔽涂层不仅成为一个连续的整体，而且与接地垫之间的导通性更佳，电 磁屏蔽效果也更加优异。
【附图说明】
[0024] 图1为实施例1中的引线键合的屏蔽结构的结构示意图。
【具体实施方式】
[0025] 以下将结合具体实施例对本发明的引线键合的屏蔽结构及其制备方法做进一步 的阐述，以帮助本领域的技术人员对本发明的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的 理解。
[0026] 实施例1屏蔽结构
[0027] 如图1所示，本发明所述引线键合的屏蔽结构，包括线路基板10,所述线路基板具 有第一表面，所述第一表面下设置有至少一个接地垫12 ;所述第一表面上设置有至少两个 电子元件20和用于封装所述电子元件的至少两个封装层30,所述至少两个电子元件均电 性连接至所述线路基板10 ;而且所述电子元件包括受保护的元件或者敏感型的电子元件。 相邻的封装层之间存在沟槽40 ;所述沟槽40的底部设置有电连接至接地垫的接线端子14， 所述接线端子14上连接有引线键50,图1中所述引线键的形状为直线，但其实际可以为任 意形状，例如环形线、柱状、螺旋状，或其它可加工的形状，并且所述引线键由导电性好的材 料制成，例如金、银、铜、铝或它们的合金。所述沟槽40的空间填充满导电填料60 ;而所述 线路基板、封装层和导电填料的外露表面上镀覆形成有连续的屏蔽涂层70,并且所述屏蔽 涂层通过所述引线键50与接地垫12电性连接，而且屏蔽涂层70通过基板侧边的对地端口 16与地线连接。所述导电填料为环氧导电胶、导电型的金属材料及其合金材料。而所述屏 蔽涂层为镀膜工艺例如溅镀制备的金属涂层。
[0028] 上述屏蔽结构可以通过以下工艺制备得到：（1)提供一线路基板，所述线路基板 的第一表面上电性连接有至少两个电子元件；并且所述第一表面下设置有至少一接地垫， 所述接地垫位于所述至少两个电子元件之间；提供引线键并将其与所述接地垫电性连接； (2)对所述线路基板上的所述至少两个电子元件填充封装树脂进行封胶；（3)对相邻的电 子元件之间形成的封胶进行激光切割并且使得引线键裸露出来形成具有两个侧壁的沟槽， 而沟槽的两侧形成至少两个封装层；(4)在所述沟槽的两个侧壁之间的空间内填充满导电 填料，并将露出的引线键包覆在所述导电填料内；（5)在封装层和导电填料的外露表面上 镀覆连续的屏蔽涂层，所述屏蔽涂层通过所述引线键与接地垫电性连接，也通过基板侧边 的对地端口（Groundvia)与地线连接。
[0029] 实施例2电磁屏蔽层
[0030] 在本实施例中，所述金属涂层为Cu-Co-Si金属涂层，并且所述Cu-Co-Si电磁屏蔽 层的厚度为2~10ym，优选为2~5ym。所述Cu-Co-Si电磁屏蔽层通过磁控派射镀膜得 到，其中，溅射靶材为Cu-Co-Si复合靶材，并且所述复合靶材中钴的质量百分含量为32~ 35wt%，硅的质量百分含量为3~6wt%，余量为铜；溅射工艺为：以氩气为工作气体，并且 其流量为100~120sccm;溅射功率为18~20kW，镀膜温度为50~60°C。关于电磁屏蔽 层的效果可参见表1，为了便于比较金属涂层的厚度均为2ym。所述的名义组成是依据复 合革G材的组成确定。
[0031] 表 1
【主权项】
1. 一种引线键合的屏蔽结构的制备方法，其特征在于包括w下步骤： (1) 提供一线路基板，所述线路基板的第一表面上电性连接有至少两个电子元件；并 且所述第一表面下设置有至少一接地垫，所述接地垫位于所述至少两个电子元件之间；提 供引线键并将其与所述接地垫电性连接； (2) 对所述线路基板上的所述至少两个电子元件填充封装材料进行封胶； (3) 对相邻的电子元件之间形成的封胶进行激光切割并且使得引线键裸露出来形成具 有两个侧壁的沟槽，而沟槽的两侧形成至少两个封装层； (4) 在所述沟槽的两个侧壁之间的空间内填充满导电填料，并将露出的引线键包覆在 所述导电填料内； (5) 在所述线路基板、封装层和导电填料的外露表面上锻覆连续的屏蔽涂层，所述屏蔽 涂层通过所述引线键与接地垫电性连接。
2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于；所述屏蔽涂层还通过基板侧边的对 地端口（Ground via)与地线连接。
3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述接地垫位于所述沟槽的正下方。
4. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于；所述引线键的形状为环形线、直线、 柱状或螺旋状。
5. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于；所述屏蔽涂层为锻膜工艺制备的金 属涂层。
6. -种引线键合的屏蔽结构，包括线路基板，所述线路基板具有第一表面，所述第一 表面下设置有至少一个接地垫；所述第一表面上设置有至少两个电子元件和用于封装所 述电子元件的至少两个封装层，所述至少两个电子元件均电性连接至所述线路基板；相邻 的封装层之间存在沟槽；其特征在于；所述沟槽的底部设置有电连接至接地垫的接线端子 (finger),所述接线端子上连接有引线键；所述沟槽两侧的空间填充满导电填料；而所述 封装层和导电填料的外露表面上锻覆形成有连续的屏蔽涂层，并且所述屏蔽涂层通过所述 引线键与接地垫电性连接。
7. 根据权利要求6所述的引线键合的屏蔽结构，其特征在于：所述屏蔽涂层还通过基 板侧边的对地端口（Ground via)与地线连接。
8. 根据权利要求6所述的引线键合的屏蔽结构，其特征在于：所述电子元件包括受保 护的元件或者敏感型的电子元件。
9. 根据权利要求6所述的引线键合的屏蔽结构，其特征在于：所述引线键的材料为金、 银、铜、侣或它们的合金。
10. 根据权利要求6所述的引线键合的屏蔽结构，其特征在于：所述屏蔽涂层为导电金 属涂层。
【专利摘要】本发明涉及一种引线键合的屏蔽结构及其制备方法，属于电子封装的技术领域。所述屏蔽结构包括线路基板；所述线路基板具有第一表面，所述第一表面下设置有至少一个接地垫；所述第一表面上设置有至少两个电子元件和至少两个封装层，所述至少两个电子元件均电性连接至所述线路基板；相邻的封装层之间存在沟槽；所述沟槽的底部设置有电连接至接地垫的接线端子，所述接线端子上连接有引线键；所述沟槽两侧的空间填充满导电填料；而所述线路基板、封装层和导电填料的外露表面上镀覆形成有连续的屏蔽涂层。本发明所述的引线键合的屏蔽结构不仅制备工艺更加简单，而且通过填充导电填料使得屏蔽涂层与接地垫之间的导电性能更好更牢靠，屏蔽效果也更加优异。
【IPC分类】H01L23-552
【公开号】CN104659022
【申请号】CN201510073298
【发明人】丁兆明, 李荣哲, 郭桂冠
【申请人】苏州日月新半导体有限公司, 日月光半导体制造股份有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年2月12日