半导体结构及其形成方法技术资料下载

技术编号:8341251

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本发明涉及半导体,特别涉及。背景技术随着系统芯片(SoC,System on Chip)将模拟电路和大规模数字系统集成在同一衬底上,由于数字状态的开关瞬态电流较大,形成扰动电荷,这些扰动电荷能通过半导体衬底耦合进敏感的模拟电路中,形成衬底噪声,从而对敏感的模拟电路产生严重的影响,因此减少衬底噪声成为SoC设计中的重要问题之一。发明内容本发明方案要解决的问题是对于位于同一衬底上的数字电路和模拟电路,数字电路中形成的扰动电荷能通过半导体衬底耦合进敏感的模拟电路...
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