技术编号:8341311
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路技术的高速发展,对于芯片集成度的要求也越来越高,MOS器件沟道长度也要求不断缩小,由此带来了新的问题器件沟道长度的缩短造成了源漏之间距离的减小,这样一来栅极对沟道的控制能力变差,栅极电压夹断沟道的难度也越来越大,亚阈值漏电的现象也会变得更容易发生。为了解决由于沟道长度的缩短造成的短沟效应,需要增强栅极对沟道的控制能力,为此人们考虑了多种解决方法,常用的有一种结构为鳍型沟道双栅结构。鳍型沟道双栅结构是一种三维立体结构,其沟道形成在“垂直”硅鳍的侧...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。