技术编号:8341324
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。FinFET器件和FinFET结构是通常构建在大块半导体基板或绝缘体上半导体(SOI)基板上的非平面的器件和结构。FinFET器件是场效应晶体管(FET),其可以包括垂直半导体鳍片,而不是具有围绕鳍片卷绕的单态、双态或三态栅极的平面的半导体表面。为了在保持或增强半导体器件性能的同时提供半导体结构到不断变小的尺寸的持续缩放,半导体鳍片器件和半导体鳍片结构的设计和制造在半导体制造技术中已有所进展。发明内容如以上和以下描述的示例性实施例的各种优点和目的通过提供根...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。