技术编号：8341330
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 DM0S由于具有耐高压，大电流驱动能力和极低功耗等特点，目前在电源管理电路 中被广泛采用。在B⑶工艺中，DM0S虽然与CMOS集成在同一块芯片中，但由于高耐压和低 导通电阻的要求，DM0S在本底区和漂移区的条件与CMOS现有的工艺条件共享的前提下，其 导通电阻与击穿电压存在矛盾，往往无法满足开关管应用的要求。在LDM0S器件中，导通电 阻是一个重要的指标。因此，为了制作高性能的LDM0S，需要采用各种方法优化器件的导通 电阻及击穿电压。 目前常规的LDM...
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